模拟电子技术基础期末试题(西安交大)精选.doc

模电试题 三、计算题(每题10分，共60分) 1．某放大电路输入电阻Ri＝10kΩ，如果用1μA电流源驱动，放大电路短路输出电流为10mA，开路输出电压为10V。求放大电路接4kΩ负载电阻时的电压增益Av、电流增益Ai、功率增益Ap。 2．二极管电路如图题所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压VAO。设二极管是理想的。 3．电路如图题所示，设BJT的β＝80，VBE＝0．6 V，ICEO、VCES可忽略不计，试分析当开关S分别接通A、B、C三位置时，BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流Ic。 4．电路参数如图所示，FET工作点上的互导gm＝1 ms，设rdRd。 (1)画出电路的小信号模型；(2)求电压增益Av；(3)求放大器的输入电阻Ri。 5．电路如图所示，假设运放是理想的，试写出电路输出电压Vo的值。 6．由运放组成的BJT电流放大系数β的测试电路如图所示，设BJT的VBE＝0．7 V。(1)求出BJT的c、b、e各极的电位值；(2)若电压表读数为200mV，试求BJT的β值。 一、选择题(每题2分，共20分) （1）PN结加正向电压时，PN结将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （4）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （5）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （6）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 （7）已知变压器副边电压有效值U2为10V，采用桥式整流RLC≥3(T/2)（T为电网电压的周期）。测得输出电压平均值UO可能的数值为 A. 14V B. 12V C. 9V D. 4.5V （8）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大 。 A．交流功率 B．直流功率 C．交直流功率 （9）功率放大电路的转换效率是指 。 A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 （10）在OTL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为 。 A．1W B．0.5W C．0.2W 二、判断题(每题2分，共20分) （1）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（╳） （2）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√） （3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（√） （4）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（╳） （5）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（╳） （6）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（√） （7）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（╳） （8）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（╳） （9）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（√） （10）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（╳） 三、计算题(每题10分，共60分) 1．有以下三种放大电路备用：(1)高输入电阻型：Ri1＝1MΩ，Avo1=10，Ro1＝10kΩ；(2)高增益型：Ri2＝10kΩ，Avo2＝100，Ro2＝lkΩ；(3)低输出电阻型：Ri3＝10kΩ，Av03＝1，Ro3＝20Ω。用这三种放大电路组合，设计一个能在100Ω负载电阻上提供至少0．5W功率的放大器。已知信号源开路电压为30mV，内阻为Rs＝0．5MΩ。 2．如图所示为稳压电路，已知稳压管的Izmax＝20mA，Izmin＝5mA，rz＝10 Ω，Vz＝6V，负载电阻最大值RLmax＝10kΩ。(1)确定R；(2)确定最小允许的RL值；(3)若RL＝l kΩ，当Vi增加1V时，求ΔV。值。 3．电路如图所示，已知BJT的β＝100，VBE＝－0．7 V。(1)试估算该电路的静态工作点；(2)画出简化的H参数小信号等效电路；(3)求该电路的电压增益Av，输入电阻Ri、输出电阻Ro；(4)若Vo中的交流成分出现图所示的失真现象，问是截止失真还是饱和失真?为消除此失真，应调整电路中的