模拟电子线路第一章精选.ppt

* O 特性基本重合(电流分配关系确定) 特性右移(因集电结开始吸引电子) 导通电压 UBE(on) 硅管： (0.6 ? 0.8) V 锗管： (0.2 ? 0.4) V 取 0.7 V 取 0.3 V E C B * 1. 放大区： 条件： 发射结正偏 集电结反偏 特点： 水平、等间隔 放 大 区 二、输出特性 E C B * 2.截止区： IB ? 0 IC = ICEO ? 0 条件：两个结反偏 截止区 E C B * 3. 饱和区： vCE ? v BE vCB = vCE ? v BE ? 0 条件：两个结正偏 特点： （小于） IC ? ? IB 临界饱和时(还可放大)： vCE = vBE 深度饱和时： 0.3 V (硅管) vCE(SAT)= 0.1 V (锗管) 饱和区 截止区 放 大 区 E C B * 三种工作状态 状态 电流关系 条 件 放大 I C = ? IB 发射结正偏 集电结反偏 饱和 I C ? IB 两个结正偏 ICS = ? IBS 集电结零偏 临界 截止 IB ≤ 0, IC = 0 两个结反偏 判断导通还是截止： UBE U(th) 则导通 以 NPN为 例： UBE U(th) 则截止 * 判断饱和还是放大： 1. 电位判别法 NPN 管 VC VB VE 放大 VE VC ? VB 饱和 PNP 管 VC VB VE 放大 VE VC ? V B 饱和 E C B E C B * 2. 电流判别法 ICS ≥ ? IB 则放大 ICS ? IB 则饱和 饱和电流： ICS * 例：测量三极管三个电极对地电位如图 所示，试判断三极管的工作状态。 三极管工作状态判断 放大 截止 饱和 * 例：用数字电压表测得VB =4.5 V 、VE = 3.8 V 、VC =8 V，试判断三极管的工作状态。 * iC ? 0 iC = VCC /RC 三极管的开关等效电路 截止 状态 S B C E VCC + ? RC RB iB ? 0 uCE ? VCC iB 饱和 状态 uCE ? 0 * 饱和区 截止区 放 大 区 击穿区 4. 击穿区： 增加到一定值时，集电结被击穿，集电极电流突增。 * 三、温度对特性曲线的影响 1. 温度升高，输入特性曲线向左移。 温度每升高 1?C，UBE ? (2 ? 2.5) mV。 温度每升高 10?C，ICBO 约增大 1 倍。 O T2 T1 * 2. 温度升高，输出特性曲线向上移。 iC uCE T1 iB = 0 T2 iB = 0 温度每升高 1?C，? ?(0.5 ? 1)%。 输出特性曲线间距增大。 O * 1.3.4 晶体三极管的主要参数 （一）、电流放大系数 1. 共发射极电流放大系数 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 — 直流电流放大系数 ? — 交流电流放大系数 一般为几十 ? 几百 Q ＃ 工作点 附近的 ? 值近似相等 * iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 2. 共基极电流放大系数 Q （二）、极间反向饱和电流 CB 极间反向饱和电流 ICBO， CE 极间反向饱和电流 ICEO。 ? 1 一般在 0.98 以上。 直流 和交流?近似相等 ＃ 越小越好，不参与放大作用。 * （三）、极限参数 1. ICM — 集电极最大允许电流，超过时 ? 值明显降低。 2. PCM — 集电结最大允许功率损耗 PC = iC ? uCE。 iC ICM U(BR)CEO uCE PCM O ICEO 安 全 工 作 区 * U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。 3. U(BR)CEO — 基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。 U(BR)EBO — 集电极开路时 E、B 极间反向击穿电压。 U(BR)CBO U(BR)CEO U(BR)EBO 例: ICM = 20