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间接调制的主要类型 电光调制（电光效应—电致双折射现象，pocket和kerr效应） 磁光调制（磁光效应—法拉弟电磁偏转效应） 声光调制（声光效应—布拉格效应和喇曼-奈斯衍射 电吸收调制（Franz-keldysh 效应和量子约束的Stark效应） 三、光源的间接调制 1、电光调制 电光效应：当把电压加到晶体上，使晶体的折射率发生变化，结果引起通过该晶体的光波特性发生变化。 普科尔效应：晶体折射率与外电场幅度成线性变化； 克尔效应：晶体折射率与外电场幅度的平方成比例变化； （1）基础概念 介电张量 折射率椭球 6）电光调制的频率特性 影响调制频率和调制带宽的因素 光在晶体中的传输时间： ?d = n0 L / c 晶体谐振电路的带宽 并联谐振回路C L，谐振频率 调制信号频率只有在此附近有限的频带内，谐振回路才能表现出高阻抗； 否则调制电压会降落在信号源内阻Rs 上，降低了调制效率，限制了调制信号带宽。 2、声光调制 声光效应 光波被介质中的超声波衍射或散射（声致光衍射） 超声波 → 介质折射率变化→ 衍射 喇曼-奈斯衍射和布喇格衍射 当超声波频率较低且光束垂直于声波传输方向时——喇曼-奈斯衍射； 当超声波频率较高，声光作用长度L较大，且光束与声波波面以一定角度入射——布喇格衍射 4、