32制造工艺过程与方法.ppt

机理：金属元素和化合物，在真空中蒸发或升华，在工件表面上析出并附着。当多种元素蒸镀时，可得一定配比的合金薄膜。 采用真空的原因：蒸发出来的分子在向基片运动的过程中，会不断与真空中残留气体分子碰撞，失去定向运动的动能，而不能沉积于基片。即：真空中残留气体分子越多（真空度越低）沉积于基片上的分子数越少。 真空中加热物质的方法: a. 电阻加法：让电源通过蒸发源（用高熔点金属制作）加热蒸镀材料，使之蒸发。 缺点：蒸发源材料与蒸镀材料易形成化合物或合金。 b. 电子轰击法：将电子集中轰击蒸发材料的一部分而进行加热。可以避免电阻加热法所存在的缺点。 物理气相沉积 Physical Vapor Deposition (PVD) 电阻式热蒸发 物理气相沉积 Physical Vapor Deposition (PVD) LAD300-I 激光真空溅射薄膜沉积系统 清华大学摩擦学国家重点实验室 阴极溅射法是高能粒子（离子、中性原子）轰击靶材，使靶材表面原子或原子团逸出，逸出的原子在工件的表面形成与靶材成分相同的薄膜。 特点：膜成分基本上与靶材相同，易获得复杂组成的合金。薄膜与基体之间的结合力大。（原因：溅射逸出的原子能量远大于蒸发原子的能量，与基体的附着力大大优于蒸镀法）。 磁控溅射靶材表面的磁场及电子运动轨迹 物理气相沉积－－磁控溅射－－应用 物理气相沉积－－－磁控溅射 物理气相沉积－－－磁控溅射 物理气相沉积－－－磁控溅射 物理气相沉积－－磁控溅射－－类金刚石薄膜 真空阴极电弧离子镀膜原理 真空阴极电弧离子镀膜 离子镀 应用 离子镀 应用 离子镀 应用 离子镀 应用 离子镀 应用 离子镀 应用 纳米级硬质复合多层膜 纳米多层（约200层）复合膜的超硬效应 单层膜： TiN 21GPa， NbN 14GPa 纳米多层膜： TiN/NbN 51GPa 离子镀 应用 离子镀 应用 应用范围：可制备单一氧化物、复杂氧化物、碳化物、金属微粉。特别是：液相法，固相法难以直接合成的非氧化物，如：合金、氮化物、碳化物的超细粉。粒径100nm以下——即纳米粉。 特点：可以通过输入惰性气体或改变其压力，而控制颗粒的大小，表面光洁，粒度均匀性。 具体操作：真空容器中，加热蒸发原料，使其凝聚在基板或钟罩壁上。 3.2.1.2化学气相沉积法CVD CVD是Chemical Vapor Deposition的简称 ，是指高温下的气相反应，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。 应用： 最早（一八八○年）用CVD制备碳 、 钨丝灯。 后用于Ti 、Zr等金属的提纯，提高金属线板材的耐热、耐磨性。 特殊复合材料、刀具 、 大规模集成电路、铁电材料、绝缘材料、磁性材料的薄膜制备技术。 粉末、块状材料、纤维合成。 CVD原理 以金属蒸气，挥发金属卤化物，氢化物，金属有机化合物等蒸气为原料，进行气相热解反应，或两种以上单质或化合物的反应，再凝聚生成各种形态的材料。 CVD的机理相对于PVD较复杂，涉及反应化学、势力学、动力学、转移机理、膜生长、和反应工程等内容。 下面以TiCl4+CH4+H2混合体析出TiC过程为 例，进行介绍。由以下几个过程构成：P105 原料气体向基片表面扩散 原料气体吸附到基片上 吸附在基片上的化学物质的表面反应 析出颗粒在表面的扩散 产物从气相分离 从产物析出区向块状固体扩散 从气相析出固相的驱动：扩散层内存在的温差。不同化学物质的浓度差。 化学气相沉积  Chemical Vapor Deposition (CVD) 热分解反应 SiH4 Si+2H2 (650℃) 还原反应 SiCl4+2H2 Si+4HCl(1200℃) 氧化反应 SiH4+O2 SiO2+2H2 (450℃) 形成化合物 SiCl4+CH4 SiC+4HCl(1400℃) 化学气相沉积  Chemical Vapor Deposition (CVD) 进气口 灯丝列 灯丝电源 基体 试样台 偏压电源 冷却水 热电偶 真空泵 化学气相沉积  Chemical Vapor Deposition (CVD) 优异的性能 高硬度 高弹性模量 低摩擦系数 高热导 高绝缘 宽能隙和高的载流子迁移率 高的光学透过率 良好的化学稳定性 化学气相沉积  Chemical Vapor Depositi