3无机材料的电导3.pptVIP

无机材料物理性能 无机材料物理性能 邓承继博士 无机材料物理性能 电学部分 上节知识点回顾 半导体概念，能带结构； 本征半导体的电子电导率及影响因素； 组份缺陷对电子电导率的影响； §5.5.1 晶界效应 （1）压敏效应 微观结构中包括氧化锌晶粒以及晶粒周围的晶界层。氧化锌晶粒的电阻率很低，而晶界层的电阻率却很高，相接触的两个晶粒之间形成了一个势垒。 应用领域 稳压，过压保护 避雷针等 应用领域 温度敏感元件，过热报警器，过热保护； PTC的温度变化，用于液位计； 限电流元件； P271 §5.5.5 西贝克(Seeback)效应 这是热电材料的基础，已经形成一个非常大的学科和材料科学界的热点研究领域 温差电动势效应--广义地，在半导体材料中，温度和电动势可以互相产生 其理论公式在教材上有部分介绍，有关进一步研究和应用见相关研究论文 教材第277页表5.11只是一些传统材料，现在有非常多新材料 Thermalelectric generator 应用领域 温差发电 制冷 §5.5.6 P-n结 正压下 P-n结的伏安特性 小结 能带的概念，金属－半导体－绝缘体在能带上的区别； n和p型半导体在能带结构、载流子浓度及电导率上的区别； 影响电子电导率的因素； P-n结在平衡态和偏压下的载流子浓度及能带； 习题4和习题6。 （四） 光伏效应 n p n p + _ E n区空穴 P区电子 光生伏特效应： 1）用能量等于或大于禁带宽度的光子照射p-n结； 2）p、n区都产生电子—空穴对，产生非平衡载流子； 3）非平衡载流子破坏原来的热平衡； 4）非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散； 5）若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。 * * 5.4 多晶多相材料的电导 相组成： 晶粒、晶界、玻璃相、气孔、 相组成的导电性： 玻璃相、微晶相（缺陷多）电导率较高。气孔电导率小，但如果气孔形成通道，环境中的水份、杂质易进入，对电导有影响。作为绝缘子使用，必须提高其致密度。 §5.5 半导体陶瓷的物理效应 接触效应 半导体间；金属与半导体间；金属与金属间； 2.晶界效应 压敏，PTC 3. 表面效应—gas sensor 4. 西贝克(Seeback)效应-thermalelectric 对电压变化敏感的非线性电阻效应。即在某一临界电压以下，电阻值非常高，可以认为是绝缘体，当超过临界电压（敏感电压），电阻迅速降低，让电流通过。 电压与电流是非线性关系。 1 隧道效应 热激发 双肖特基势垒图 无电场 Ed 表面能级 高电场 ZnO晶粒 晶界 ZnO晶粒 （2） PTC效应 PTC效应：电阻率随温度升上发生突变，增大了3—4个数量级。是价控型钛酸钡半导体特有。电阻率突变温度在相变（四方相与立方相转变）温度或居里点。 PTC机理（Heywang晶界模型)： 1）n型半导体陶瓷晶界具有表面能级； 2）表面能级 可以捕获载流子，产生电子耗损层，形成肖特基势垒。在烧结时，需采用氧化气氛，缓慢冷却，使晶界充分氧化，因此所得烧结体表面覆盖着高阻氧化层，在被电极前将氧化层去除。 3）肖特基势垒高度与介电常数有关，介电常数越大，势垒越低； 4）温度超过居里点，材料的介电常数急剧减小，势垒增高，电阻率急剧增加。 表面效应：半导体表面吸附气体时电导率发生变化。 吸附气体的种类：H2、O2、CO、CH4、H2O等。 半导体表面吸附气体对电导率的影响： 如果吸附气体的电子亲和力大于半导体的功函数，吸附分子从半导体中捕获电子而带负电；相反吸附分子带正电。 n型半导体负电吸附，p型半导体正电吸附时，表面均形成耗尽层，表面电导率减小。 p型半导体负电吸附，n型半导体正电吸附时，表面均形成积累层，表面电导率增加。 §5.5.3 表面效应（吸附其他分子或原子） 例如： 一般具有氧化性的分子（如：氧分子）从n型半导体和p型半导体中捕获电子而带负电，引起半导体表面的负电吸附。还原型气体引起半导体表面的正电吸附。 1/2O2(g)+ne ? Oad n- Oad : 吸附分子 温度对吸附离子形态的影响： 低温?高温 O2 ? 1/2O4- ? O2- ? 2 O- ?2O2 - O::O ·O:O:O:O: ·O:O· ·O: :O: §5.5.4 气敏理论模型 SnO2是n型半导体 在空气中吸附氧，氧的电子亲和力比半导体材料大，从半导体表面夺取电子，产生空间电荷层，使能带向上弯曲，电导率下降，电阻上升。 吸附还原型气体，还原型气体与氧结合，氧放出电子并回至导带，