光电探测器 按光电转换方式,光电探测器可分为: 光电导型、光生伏打型(势垒型)和热电偶型。 光电转换中根据探测的光子波长分为: 狭能隙半导体材料(红外)和宽能隙半导体材料(可见和紫外)。 宽能隙材料以Si、Ge、和GaN、AlN等为主, 狭能隙半导体材料主要为铅盐、碲镉汞、SbIn等。 the bandwidth of a photodetector is determined by the speed with which it responds to variations in the incident optical power. The rise time Tr is defined as the time over which the current builds up from 10% to 90% of its final value when the incident optical power is changed abruptly. The transit time is added to ?RC because it takes some time before the carriers are collected after their generation through absorption of photons. The maximum co
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