MOSFET匹配 共质心版图 共质心版图 MOSFET匹配 共质心版图 MOSFET匹配 共质心版图 AABB..,前后颠倒 MOSFET匹配 共质心版图 MOSFET匹配 共质心版图 MOSFET匹配 共质心版图 本章重点 1、CMOS反相器版图及剖面图 2、两输入与非门(或非门)版图 3、宽沟道器件叉指结构版图画法 4、版图设计中背栅接触孔的作用及各种结构的背栅接触 5、电路设计中如何减小失调电压或失调电流 6、共质心结构进行匹配MOSFET的布局(电流镜和差分对) * 实际晶体管中的长度等于源漏扩散区之间的距离,自对准晶体管版图绘制的长度L等于版图数据中跨过多晶硅栅从源区到漏区的距离。实际工艺中由于过度刻蚀、刻蚀不足、交错、横向扩散等原因,实际制作出来的晶体管的有效长度Leff比绘制的长度略大或略小一些。 版图设计中硅栅的两端必须超过源漏边界,防止源漏短路,因而实际自对准工艺中晶体管的宽度是由有源区而不是多晶硅栅掩膜决定的。由于交错、横向扩散、鸟嘴效应的影响,制作的晶体管的有效宽度Weff和版图画的W有一定偏差。 MOSFET版图样式 背栅接触 MOSFET版图样式 Power MOS 叉指结构 MOSFET版图样式 Power MOS 曲栅式Power MOS MOSFET版图样式 Power MOS Waffle式Power MOS 本章主要内容
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