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- 2016-12-05 发布于湖北
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4 场效应管放大电路 4.1 结型场效应管 4.2 砷化镓金属—半导体场效应管 4.3 金属—氧化物—半导体场效应管 4.4 场效应管放大电路 4.5 各种放大器件电路性能比较 场效应管是利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。将控制电压转换为漏电流——互导放大器件。 特点:体积小,重量轻,耗电省,寿命长。 具有输入阻抗高、热稳定性好、噪声小、抗辐射、制造工艺简单等优点。 分类: 结型场效应管(JFET) 金属—氧化物—半导体场效应管(MOSFET) 4.1 结型场效应管 二、 工作原理 栅极与N沟道构成PN结,在N沟道栅极周围形成耗尽层。 (1) VGS对i D的影响 (2) VDS对i D的影响 P沟道JFET的工作原理 4.1.2 JFET的特性曲线及参数 2.转移特性 P沟道JFET的特性曲线 P沟道JFET的特性曲线 3.主要参数 (1)夹断电压 VP (2)饱和漏电流 IDSS (3)最大漏源电压 V(BR)D S (4)最大栅源电压 V(BR)GS
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