《单片机的高速运行》.doc

单片机的高速运行 埃里希卡斯帕，迪特马尔基辛格， 彼得和罗伯特韦盖尔 本文回顾了硅锗技术的发展和突破。硅锗异质结双极晶体管传输频率和最高振荡频率300GHz以上的fmax 单片集成毫米波基于这些异质结双极晶体管已经发展[3] -[9]。正如我们在下面的概述表明，结合有源器件平面结构，包括天线单元单芯片实现毫米波前端程序 图1 硅/锗异质结构层的稳定性图显示了可变现的有效层相对锗含量（密度）的厚度为无条件稳定的无缺陷的硅锗薄膜层的增长[15] 1977年， Erich Kasper 和Peter Russer 提出一个基于单晶锗的混晶体系的基础和指定精确的尺寸规定以及制造程序和技术的双极晶体管[16]。这项专利第一次提出了双异质结构（图2）。根据这一披露，单晶硅材料应用到了超高真空技术（1），首先是负极或正极的硅层掺杂（n/ P）（2）如同集电极。那薄薄的P/n硅锗混和晶体层厚度小于200纳米（3）发展形成了晶体管的基极。在这层被硅射极层所覆盖（6）。这一直是一个必不可少的步骤，以减少晶格不匹配。据报道在1987年，IBM的研究人员[17]第一个实现了硅锗异质结双极晶体管。 图2 硅锗异质结双极晶体管原理图的发现。这些数字对应的是用来制造晶体管的各个层。 原理 在硅锗异质结双极晶体管，基区是由锗硅层和两侧相邻硅层构成的。增加基区锗的含量，该基区的带隙Eg减少为 ΔEg, Ge, ，如图3所示。 图3 硅锗异质结双极晶体管的能带结构。由于硅锗的基极有较低的带隙 由于基区低带隙和高基区掺杂使其达到了较高发射效率。一个HBT的基极比硅双极晶体管掺杂更多，用以减少基极电阻受到放大而造成的负面影响。图4显示了一个HBT的横截面。异质结双极晶体管都采用自对准发射极的基础结构以及选择性外延增长的硅锗基层。从发射到相应的电子注入和相应的自由发射器的设计、基区掺杂，都减少了屏障的影响，实现了明显的高频率运作。 图4 横断面观察的硅锗异质结双极晶体管NPN型自我注入器（SIC）和深沟槽隔离电流增益截止频率fT，也被称为转换频率，由下式给出 其中Ceb和Ccb是发射极和集电极基基耗尽电容;τb，τe和τc分别为基极，发射极和集电极传输倍，发射极电阻re，给出了 当去嵌入S参数的测量，它不是理想的内部晶体管，而一个晶体管有串联电阻连接的三个触点（发射器，基地，集电极）需要被测量[18]。HBT的最高振荡频率fmax给出 其中rb是基极电阻，Cbc是集电极电容。在硅锗异质结双极晶体管，低带隙允许一个较高的基数掺杂，因此，低基极电阻，从而增加到fmax。 较高的基区掺杂所以相较于硅双极晶体管就可以实现较低的基极电阻。通常的晶体管模式是基于宽频带从低频信号放大到ft。输入和输出之间晶体管的换相导致了损失放大。Luryi[19]提出的晶体管的连贯传输，克服相移的限制。通过共振相位晶体管的调查，结合一个与耗尽层相位延迟一致的传输，第一次实验验证了共振相位晶体管的功率增益超过了它的规定频率 [20] -[22]。共振相位晶体管是一种电流的放大实现了远超在此基础上的一个基极相干载波传输中的转换频率的硅锗异质结双极晶体管。这使得设计的晶体管在给定的工作频率上得到更大的基极宽度同时可以增加一个十倍的RF输出功率。 窗体顶端 单片毫米波集成电路 线性放大器 硅锗进程的发展很好地反映在毫米波制度的放大器提高性能上。W波段（75-110千兆赫）用在最近一直在文献报道的硅锗技术放大器[23] - [25]。一个91 GHz低噪声放大器（LNA），提出了采用单向增益峰值设计技术[23]。LNA的开发于0.12毫米，200千兆赫ft硅锗技术。测量结果显示了13dB峰值增益，25.4dBm的IIP3和一个在91 GHz在8.1 mW的直流功率消耗为5.1分贝的噪音。该放大器展示了16GHz的带宽从84到100千兆赫的3dB增益，与10dB的增益和最小的只有五点五分贝平均噪声系数。 超宽带放大器方案是实现于[26]有两个可用于高带宽和低增益波动均衡级联阶段。该放大器实施了一个0.12毫米硅锗双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）的工艺，达到了102千兆赫的3 dB带宽。一个10 dB增益据说小于1.5 dB的增益纹波并且组延迟变化小于在整个3 dB带宽的6 ps。 振荡器 SiGe双极技术非常适合于电压控制振荡器的毫米级规定（VCOs），由于其相比CMOS有较高的输出功率和更好的相位噪声的性能。 完全集成了一个77 GHz的汽车雷达系统和在约100千兆赫[27]实现应用的SiGe VCO的输出缓冲区。相应的芯片照片是描绘在图5。在77 GHz的中心频率，调谐范围达到6.7的297 dBc / Hz的相位噪声在1 MHz GHz的抵消频率。总信号功率的产出都