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EDA竞赛培训提纲――新器件与工艺部分 第一部分：集成电路制造工艺流程 第二部分：新型器件结构与制造技术 第三部分：新材料、新结构和新原理在 小尺寸器件中的应用简介 第一部分：集成电路制造工艺流程 1. 典型的双极型集成电路工艺流程简介； 2. CMOS集成电路工艺流程简介； 3. 双极型与CMOS相兼容的集成电路工艺流程（BiCMOS）简介； 4. 集成电路版图设计中需要引起注意的若干问题 双极型集成电路工艺流程简介 两种常用的器件隔离方式： PN结隔离与介质隔离 典型的双极型集成电路工艺流程简介 CMOS集成电路工艺流程简介三种常见的CMOS结构 CMOS集成电路工艺流程简介 E/D-NMOS工艺流程示意图 双极型与CMOS相兼容的集成电路工艺流程（BiCMOS）简介Si-BiCMOS，SiGe-BiCMOS 集成电路版图设计中需要引起注意的若干问题（抑制Latch-up效应问题、输入/输出的ESD防护问题、天线效应问题等） 第二部分：新型器件结构与制造技术 超高速与微波应用领域中的GaAs器件结构与工艺技术； 2. 超高速与抗辐射应用领域中的SOI器件结构与工艺技术； 3. 适用于超深亚微米CMOS集成电路的FinFET器件结构与工艺技术； 4. 适用于极低功耗CMOS集成电路的动态阈值（DTMOS）器件结构与工艺技术 超高