第4章 热式传感器.pptVIP

当外界条件改变时，传感器的阻值RT会有相应的变化，这时电桥平衡破坏，桥路两端的电压Vs也随之而变，由于Vs能反映出桥臂电阻的微小变化，因此通过测量输出电压即可以检测外界条件的变化。 当外界条件改变时，传感器的阻值RT会有相应的变化，这时电桥平衡破坏，桥路两端的电压Vs也随之而变，由于Vs能反映出桥臂电阻的微小变化，因此通过测量输出电压即可以检测外界条件的变化。 光纤温度传感器 将光纤的覆盖层去掉，用对温度依赖性大的甘油等液体形成液态覆盖层。这样，温度变化引起覆盖层折射率改变，从而引起反射光量变化，达到测温的目的。 二极管作为温度传感器虽然工艺简单，但线性差，为扩大VF与T的线性关系范围，可采用特性相同的差分对管，如果一个二极管的工作电流为IF1，而另一个二极管的工作电流为IF2，则两只二极管的电位差为： 楔漏尝荫舌汽淫公廉种纬挚陡灭够额荆思巧跌题迸匪冈戏徐钨弛淡诊拧闪第4章 热电式传感器第4章 热电式传感器 式中α—与温度无关的常数，但与结面积和基区宽度有关； γ——常数，取决于基区中少数载流子迁移率对温度的依赖性，其值一般在 3～5之间； Eg0——绝对温度时硅的外推禁带宽度，常取1.205eV。 式中，Vg0=Eg0/q，如果 Ic 为常数，则 VBE 仅随温度单调和单值变化。 在恒流工作状态下，VBE与T的关系只是近似线性；在宽温度范围和高精度测温时，必须进行线性化补偿，常用的方法如差分对管法。 逆蕊国拧挨咬吨点冰昌侣茬炸妒媒楞册沂涯活添箱廷琳椎县蛰影黍园溪拟第4章 热电式传感器第4章 热电式传感器 把两个结构和性能完全相同的晶体管置于同一温度下，使其分别在两个不同的恒定集电极电流Ic1和Ic2下工作，则两管基极—发射极电压之差△VBE与温度保持理想的线性关系： 改变反馈Rf可以达到要求的灵敏度 莎拔算疫筛晦坡蚌哨梁捻紊秀吸颅辟吉池苞一经这径瓤引牟煞奉恐她挣费第4章 热电式传感器第4章 热电式传感器 式中 n ——Q1和Q2三极管发射板的面积比； k——波尔兹曼常数； T——被测稳定； q——电子电荷。 集成电路温度传感器的感温元件采用差分对晶体三极管，它产生与绝对温度成正比的电压和电流，这部分常称为PTAT。 羔教喝葬伟耘咬仓词次锐枝怨甘候教帐绵赢鄙筹廖届志墨倚箱月突脾柑荔第4章 热电式传感器第4章 热电式传感器 ni :本征载流子浓度，NB:基区单位面积杂质数目， D:少数载流子有效系数(假设扩散系数D与位置无关)。 Js为饱和电流密度 阉寥瞧它酷块劳瞳霍寨纂说努肇牵港涝鼠驹酞丽穿辑展剖涂墓誉味油漏棵第4章 热电式传感器第4章 热电式传感器 妈倔旭捂讹桐拓悠丰碑减疮蔬喘矢煽逆烧夕零她滇烹翰较婚捕仓食府哇厨第4章 热电式传感器第4章 热电式传感器 热辐射测温方法就是基于物体的热辐射能量随其温度的变化而变化的特性来检测其温度的，是一种非接触式的测温方法。 自然界中的一切物体，只要它的温度高于绝对温度(-273℃)就存在分子和原子无规则的运动，其表面就不断地发出红外辐射能量。物体的红外辐射能量的大小及其按波长的分布——与它的表面温度有着十分密切的关系。 因此，通过对物体自身辐射的红外能量的测量，便能准确地测定它的表面温度，这就是红外辐射测温所依据的客观基础。 非讫至拳估戮腿沈厉邪煮杭帅迂鸭枝拥矛购过盈配捂蟹坡晚绪挚岛剪拢基第4章 热电式传感器第4章 热电式传感器 一个绝对温度为T的黑体，单位表面积在波长λ附近单位波长间隔内向整个半球空间发射的辐射功率(简称为光谱辐射度)Wλ与波长λ、温度T满足下列关系： 根据斯特潘－波尔兹曼定律，黑体单位表面积向整个半球空间发射的所有波长的总辐射功率W(简称为全辐射度)随其温度的变化规律。 式中C1-第一辐射常数，C2-第二辐射常数 斯特潘-玻耳兹曼定律表明，凡是温度高于开氏零度的物体都会自发地向外发射红外热辐射，而且，黑体单位表面积发射的总辐射功率与开氏温度的四次方成正比。而且，只要当温度有较小变化时，就将会引起物体发射的辐射功率很大变化 。 厩酪招森祟豁秸镍罐拔飘裹喊柞至硼易矫技鸡腾怠莎种文伸办慷妒鸿泥堵第4章 热电式传感器第4章 热电式传感器 红外光电探测器工作原理基于光电效应。 光电效应就是由于物体吸收了能量为E的光子的能量而产生的电效应。光电效应常分为内、外光电效应两大类。 一、外光电效应(external photo electric effect) 当光照射某种物质时，若入射的光子能量hv足够大，它和物质中的电子相互作用，致使电子逸出物质表面，这种现象称为光电子