電子學I第02回隨堂講義(教師用本).doc.docVIP

第 2 回　2-1~2-5 第1部分　重點整理 1. 目前地球上所發現元素的結構都是由　原子核　和　電子　所組成。 2. 原子核內部主要由　質子　和　中子　組成。 3. 原子內部電子排列是由內往外，依序以K、　L　、M、N、O、P、Q等七層軌道繞著　原子核　為中心運轉，且每一層的電子最大容量為2n2，n表示能層數。 4. 目前最主要的半導體材料是　矽　與　鍺　，其最外層的電子數目都是4個。 5. 在純半導體中，結晶體受到熱能的關係，會致使部分共價鍵破裂，而產生的自由電子及電洞，則稱為　電子電洞　對。 6. 價電子受熱能作用而脫離原來共價鍵結構，所留下的空位，稱為　電洞　。 7. 本質半導體在絕對零度0K(－273°C)時，沒有任何電子或電洞存在，可視為 　絕緣　體。 8. 在純矽晶體中，欲使電子由共價鍵釋放出來而成自由電子，至少需要　1.1　eV的能量。 9. 在純鍺晶體中，欲使電子由共價鍵釋放出來而成自由電子，至少需要　0.7　eV的能量。 10. 在半導體材料之導電特性中，鍺質比矽質較　易　導電。 11. 以砷化鎵為材料的電晶體比矽材料的電晶體，能在較高頻率下使用，主要原因是　移動率　較快。 12. 在本質半導體中，以本質元素對雜質元素比為108：1之比例關係，摻雜正三價雜質元素（受體），使得　電洞　數目增加，其所形成半導體結構，稱為　P型　半導體。 13. 受體是指正三價的元素，一般常見的受體雜質元素有　硼　、鋁、鎵、銦。 14. 在P型半導體中，其多數載子是　電洞　，少數載子是　電子　。 15. 在P型半導體中，傳導電流的主要載子是　電洞　。 16. 在本質半導體中，以本質元素對雜質元素比為108：1之比例關係，摻雜正五價雜質元素（施體），使得　電子　數目增加，其所形成半導體結構，稱為　N型　半導體。 17. 施體是指正五價的元素，一般常見的施體雜質元素有　磷　、砷、銻。 18. 在N型半導體中，其多數載子是　電子　，少數載子是　電洞　。 19. 在N型半導體中，傳導電流的主要載子是　電子　。 20. 在熱平衡下，自由負電荷濃度np和正電荷濃度pp之乘積為定值（nppp＝ni2），且與摻入的　雜質　無關。 21. 本質或外質（P型和N型）半導體在帶電性方面是　中性　，但導電性方面則會隨溫度的上升而　增加　。 22. PN接合面處相結合瞬間，N型側內區域會形成　正離子　，P型側內區域會形成　負離子　，而整個區域內沒有電子、電洞存在，稱為　空乏　區。 23. PN接面處正、負離子所形成的電場效應，稱為　障壁　電壓，在常溫時，矽約為　0.7　V，鍺約為　0.3　V。 24. 二極體在順向偏壓時（P端接　正極　、N端接　負極　），空乏區寬度會　變小　。 25. 二極體在逆向偏壓時（P端接　負極　、N端接　正極　），空乏區寬度會　變大　。 26. 二極體在逆向偏壓工作時，由於位障增高，致使多數載子通過接合面不易，只有　少數　載子流動所形成的漏電流，稱為逆向飽和電流Is。 27. 逆向飽和電流Is (1) 鍺質二極體的逆向飽和電流值（μA）要遠比矽質二極體逆向飽和電流值（nA）　大　，二項材料Is相比約差1000倍左右。 (2) 逆向飽和電流Is值主要是與　材料　和　溫度　有關，但與　逆向　偏壓幾乎無關。 28. 二極體在順向偏壓時，其電流值是隨電壓呈　指數　方式遞增。 ID＝Is 29. 溫度的變化，會致使二極體兩端的　障壁　電壓與　漏電　電流產生變化。 30. 二極體內部的逆向飽和電流Is會隨溫度每上升　10　°C其Is電流值增加1倍。 Is(t2)＝Is(t1) 31. 二極體順向電壓值會隨溫度上升而　降低　，其中鍺質二極體的電壓降低率約為　－1　mV/°C，矽質二極體電壓降低率約為　－2.5　mV/°C。 32. 當二極體施加於逆向偏壓時，電容量主要為　過渡　電容CT，且此電容值與逆向偏壓成　反比　。 33. 當二極體施加於順向偏壓時，電容量主要為　擴散　電容CD，且此電容值與順向電流成　正比　。 34. 空乏區深入接面PN兩端的深度，主要是由其摻入的　雜質　濃度決定，當摻入濃度愈大者，其深入的深度愈淺；反之，則深度愈深。 35. 二極體內部動態電阻（或交流電阻）與順向電流成　反比　。 動態交流電阻rd＝。 第2部分　隨堂練習（題目前有「＊」者，請見書末解析） 一、選擇題 ＊（ D ） 1. 在矽本質半導體中摻雜磷雜質，則所得材料之多數載子為　(A)電洞(B)中子　(C)質子　(D)電子。 （ B ） 2. 在N型半導體中，傳導電流的載子主要是　(A)中子　(B)電子　(C)電洞　(D)分子。 （ A ） 3. 下列何者不是二極體材料？　(A)雲母　(B)鍺　(C)矽　(D)砷化鎵。 （ B ） 4. 下