电子工程物理基础v1.1(4-2-2)2015.ppt

有外场 0 x ?p t=0 t=t1 A t=t2 载流子“包”的漂移速度 4 稳态下的表面复合 稳定光照射在一块均匀掺杂的n型半导体中均匀产生非平衡载流子，产生率为gp。如果在半导体一侧存在表面复合（如图所示），试写出非平衡载流子的表达式。 表面复合 x 0 y 体内产生的非子为 先考察y方向 根据题意化简，得 空穴向表面扩散，满足的扩散方程 边界条件: 考虑x=0表面的复合，考察x方向: 表面复合速度 表面复合率 例 今有一块均匀的n型硅材料，用适当的频率、稳定的光照射样品的左半边（如下图），产生电子-空穴对，其产生率为gp，求稳态时、小注入水平、样品足够长时两边的空穴浓度及分布。 光 照 x 0 稳态时: 光 照 x 0 光 照 x 0 边界条件 边界条件 （x/=0) （x0) 0 0 4.1 电子的分布 4.2 载流子的调节 4.3 载流子的复合 4.4 载流子的散射 4.5 载流子的漂移 4.6 载流子的扩散 4.7 载流子的完整运动 考察p型半导体的非少子扩散运动 沿x方向的浓度梯度 电子的扩散流密度 （单位时间通过单位 截面积的电子数） 4.6 载流子的扩散（Diffusion） 一.净扩散 载流子依靠浓度梯度所产生的一种定向运动。 Dn--电子扩散系数cm2/s（ electron diffusion coefficients） 扩散定律 电子的扩散电流密度 ？ 电子的扩散流密度 ——单位时间在小体积Δx·1中积累的电子数 求 在x附近，单位时间、单位体积中积累的电子数——积累率 稳态时，积累=损失 稳态扩散方程 净复合 三维 球坐标 一维求解 （1）若样品足够厚 讨 论 代表载流子浓度减少到原来的1/e所走过的距离 扩散长度为非平衡载流子深入半导体样品的距离 （2）若样品厚为W（W ∞) 并设非平衡少子被全部引出 则边界条件为： ?n(W)=0 ?n(0)= (? n)0 得 若WLn 常数 无复合 x W 小结 样品很厚 样品很薄 扩散流密度 积累=复合 稳态扩散方程 通解 空穴的扩散电流密度 电子的扩散电流密度 扩散电流密度 样品很厚 样品很薄 同理, 样品足够厚WLn, Lp 样品足够薄W Ln, Lp 速度量纲 速度量纲 扩散电流密度 在非平衡载流子浓度分布不均匀和外场同时存在的情况下: （2）总电流密度 二.爱因斯坦关系 平衡条件下： Einstein Relationship 内建电场 掺杂不均匀 P型 - + 掺杂不均匀 P型 0 V - + 其中： 得： 同理： P型 n型 掺杂不均匀 P型 - + 在非平衡载流子浓度分布不均匀和外场同时存在的情况下: 总电流密度 连续性方程 扩散、漂移、复合、散射等同时存在时，且非稳态下，少数载流子的运动方程。 以一维p型为例来讨论： ε 光照 在外加条件下，载流子未达到稳态时，少子浓度不仅是x的函数，而且随时间t变化：n(x,t) 三.载流子的完整运动 由扩散和漂移共同引起 积累率 复合率 其它产生率 *电子积累率： 电子的扩散和漂移流密度 ------连续性方程 讨论（1）光照恒定 （2）材料掺杂均匀 （3）外加电场均匀 （4）光照恒定，且被半导体均匀吸收(光均匀照射在半导体上 对于n型半导体： p型半导体： 应用举例 1 用光照射n型半导体，并被表面均匀吸收(gp=0 )。假定材料是均匀的，且无外场作用，试写出少数载流子满足的运动方程。 非平衡少数载流子的扩散方程 恒定光照下 ——稳态扩散方程 2 用恒定光照射n型半导体，并被表面均匀吸收 (gp=0)。假定材料是均匀的，且外场均匀，试写出少数载流子满足的运动方程，并求解。 解 此时连续性方程变为 方程的通解为： 考虑到非平衡载流子是随x衰减的 又 其中 ——空穴的牵引长度 空穴在寿命时间内所漂移的距离 最后得： 其中 电场很强 电场很弱 结论：由表面注入的非平衡载流子深入样品的平均距离，在电场很强时为牵引长度，而电场很弱时为扩散长度。 3 在一块均匀的半导体材料中，用适当频率的光脉冲照射其局部区域，请分别写出没有外场和加外场时，非平衡载流子在光脉冲停止后的运动方程。 没有外场 0 x ?p t=0 t=t1 t=t2