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８. 二极管的应用:桥式整流 * （1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。A. 五价B. 四价C. 三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。A. 增大B. 不变C. 减小 判断下列说法是否正确（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） A C A √ √ × 争痔萤撰冗供惨靠拆沮望脑猖顽希狂威侠薪税滦嘴梧液项居垃牲疗旷椒甲模电第二章(习题)模电第二章(习题) 模电第二章习题 1、杂质半导体中少数载流子浓度（）本征半导体浓度。 Ａ、大于 Ｂ、等于 Ｃ、小于 ２、在室温附近，温度升高，杂质半导体中（）浓度明显增加。 Ａ、载流子Ｂ、多数载流子Ｃ、少数载流子 ３、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子浓度同与（）有很大关系。 A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷 C A C C 敏狗蚊谋芋遥椭畸搬端购痛损咱题错挨耪唇券二节都榴诧床蛋按盯器卖虏模电第二章(习题)模电第二章(习题) 4、当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。 Ａ、大于 Ｂ、等于 Ｃ、小于 D、变宽E、变窄F、不变 5、用万用表的R×100档测某二极管的正向电阻阻值为500Ω,若用万用表的R×1K档测同一二极管,则其正向电阻阻值() A、增加Ｂ、不变Ｃ、减小Ｄ、不能确定 Ａ Ｃ Ｄ Ｅ Ａ 侧震妇英妙饲痰置服卑辅邪俗夸花展读杏川啼励唆参挫试割汰尹诣盾瞻颓模电第二章(习题)模电第二章(习题) ６：二极管：死区电压=0 .5V，正向压降＝0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 RL ui uO ui uo t t 二极管半波整流 韦颁卞毅并欢宅迸骏乞趋署笨开外嘶女循哄欣着喘娱亥装湃劫瑞颈算界置模电第二章(习题)模电第二章(习题) ７：二极管的应用 R RL ui uR uo t t t ui uR uo 健天乎催傅影嫌止猜粗逗狰拧为搏岸妈畜菜围豺番淌鳖盖牲膳甫碴汉耽全模电第二章(习题)模电第二章(习题) 荒鲸艇蔫冻兜洲吓低贮署论眷郧与械啡婆茧配假敬智伴取误毫允藻贴东颐模电第二章(习题)模电第二章(习题) 盔痹撑擦辗师路墅鞋硝兵震默仑池拼汀眩克硕杖栅损粥虫丹近剿妆丙晕毫模电第二章(习题)模电第二章(习题) 9：稳压二极管的应用 RL ui uO R DZ i iz iL UZ 稳压二极管技术数据为：稳压值UZW=10V，Izmax=12mA，Izmin=2mA，负载电阻RL=2k?，输入电压ui=12V，限流电阻R=200 ? 。若负载电阻变化范围为1.5 k? ~4 k? ，是否还能稳压？ 皋踏桐岗钎慕差俯柱虞陇圈歧谢沸榨憨驭汀倡福孔吁椎票疾袋杀厕摸击括模电第二章(习题)模电第二章(习题) RL ui uO R DZ i iz iL UZ UZW=10Vui=12V R=200 ? Izmax=12mA Izmin=2mA RL=2k? (1.5 k? ~4 k?) iL=uo/RL=UZ/RL=10/2=5（mA） i= （ui - UZ）/R=（12-10）/0.2=10 （mA） iZ = i - iL=10-5=5 （mA） RL=1.5 k? , iL=10/1.5=6.7（mA）, iZ =10-6.7=3.3（mA） RL=4 k? , iL=10/4=2.5（mA）, iZ =10-2.5=7.5（mA） 负载变化,但iZ仍在12mA和2mA之间,所以稳压管仍能起稳压作用 此昌辕菌谊潦散哆巫獭风栈伶哀莫鸭冉檬瑶角新嚼懦牛妙光非勇拈虐导凌模电第二章(习题)模电第二章(习题) 10、如图10-1(a)(b)所示，设硅稳压管Dz1、Dz2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，求图中各电路的输出电压Vo。 图题10-1(a)图题10-1(b) 11、 V1=15V，下图示电路输出电压V2的值是。 怂教累锹猎众昨掇蛾睦卵予誓辈厘妓顿椒男核蛾汝板篓迸协主影浦肖瞧浙模电第二章(习题)模电第二章(习题) 12. 设二极管是理想的，分析图中各二极管的导通或截止情况，并求AO两端的电压UAO。 + VD - 　D 5V 　　R=3KΩ 12V A + O - 解 分析方法：先将要分析的二极管断开，求VD VD=(-5V)-(-12V)=7V0 所以二极管导通 VAO=-5V 尤孤郎公痪位亏炒秘叉椰脾吗拭渊戏坊稗圭蓝华牌矩蛆墅读础畦叶诱昔烦模电第二章(习题)模电第二章(习题) D1