电工学教案半导体二极管和三极管.pptVIP

15.1 半导体的导电特性 15.1.1 本征半导体 15.1.1 本征半导体 15.1.1 本征半导体 15.1.1 本征半导体 15.1.2 N型半导体和P型半导体 15.1.2 N型半导体和P型半导体 15.1.2 N型半导体和P型半导体 发射结 集电结 B P P N 发射区 基区 集电区 E C P P N B E C C E B 15.5.1 基本结构 15.5.2 电流分配和放大原理 μA mA mA IB IC IE RB EC + + _ _ EB B C E 3DG6 共发射极接法 15.5.2 电流分配和放大原理 晶体管电流测量数据 IB/mA 00.020.040.060.080.10 IC/mA 0.001 0.701.502.303.10 3.95 IE/mA 0.001 0.721.542.363.18 4.05 由此实验及测量结果可得出如下结论：（1） IE=IC+IB 符合基尔霍夫电流定律。（2） IE和IC比IB 大的多。（3）当IB=0（将基极开路）时， IE=ICEO， ICEO0.001mA 用载流子在晶体管内部的运动规律来解释上述结论。 15.5.2 电流分配和放大原理外部条件：发射结加正向电压；集电结加反向电压。 UBE0,UBC0,UBC=UBE-UCE,UBEUCE RB E