第三章CMOS反相器介绍及设计.pptVIP

0≤ViVtn时： n截止 p线性 （Vivtnv0+Vtp） p管无损地将Vdd传送到输出端： V0=Vdd， 如图a——b段。 Vtn≤ViV0+Vtp时： n饱和 p线性 由In=-Ip得： 如图b——c段 V0 Vi Vdd Vth a----b b----c c----d d----e e----f V0+Vtp≤Vi≤V0+Vtn时： n饱和 p饱和 由In=-Ip得： V0与Vi无关，如图c——d段。 V0+VtnVi≤Vdd+Vtp时： n线性 p饱和 由In=-Ip得： 如图d——e段。 V0 Vi Vdd Vth a----b b----c c----d d----e e----f Vdd+VtpVi≤Vdd时： n线性 p截止 V0=0 如图e——f段。 V0 Vi Vdd Vth a----b b----c c----d d----e e----f CMOS反相器有以下优点： （1）传输特性理想，过渡区比较陡 （2）逻辑摆幅大：VOH=VDD, VOL=0 （3）一般VM位于电源Vdd的中点，即VM=VDD/2，因此噪声容限很大。 （4）只要在状态转换为b——e段时两管才同时导通，才有电流通过，因此功耗很小。 （5）CMOS反相器是利用p、n管交替通、断来获取输出高、低电压的，而不象单管那样为保证VoL足够低而确定p