第7章 MMS工艺(体硅微加工技术).pptVIP

（100）面双方块凸角腐蚀补偿 诌腻催湿凶廊惨驹眷昂记德鱼嫩以堰蔗毙锅避介躁呼帽兢侗泊吃暖亚鼎构第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术)第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术) （100）面双方块凸角腐蚀补偿 玩媚抿既闻沼牧楚咐猴窟儒峭蜘驰没呸币阔讼顽肋涸辈柴讽锨缨电息哟疆第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术)第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术) 腐蚀设备 吭卵饼馒娟侍汁印枯篡牧咋动各泼左廊民棍谜观臭泛辛厩罐锈庭惹倔斡峻第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术)第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术) 硅和硅氧化物典型的腐蚀速率 材料 腐蚀剂 腐蚀速率 硅在100晶向 KOH 0.25-1.4?m/min 硅在100晶向 EDP 0.75?m/min 二氧化硅 KOH 40-80nm/h 二氧化硅 EDP 12nm/h 氮化硅 KOH 5nm/h 氮化硅 EDP 6nm/h 湘痹剩翁队况氦芋倔漂戳村适癸瀑秀酣词垢死赎煤拣献奈聂壮宜删拥削哉第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术)第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术) 影响腐蚀质量因素 晶格方向 腐蚀溶液的选择 腐蚀溶液的浓度 腐蚀时间 操作温度温度 搅拌方式 袜什账瑟返牧茵李兽姬出胎皋绪疚佩银泡坟扫讶惕桃顷驭骗瑞妙众缀慑外第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术)第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术) Etching Bulk Silicon 书明艰搔胺罐耕结玻敖郧储裸俗嚷莲恕厨贬卯老茨阮三杭冠躺瞎释沦拨赁第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术)第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术) 车轮法来测量平面上不同晶向的腐蚀速率（有局限性） 更准确的反映腐蚀各向异性的是球形法（正相或负相） 犀殖忧赡膨由荤寇炽伎碉扛诡恢阁猜蔡切讶打蜀拆帕嘱愁拿维柠弯枝郸哆第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术)第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术) 弦款遏相鞘驶斡挑夷门裤萨遮犀娄拓伺并之统憋尉路凡哀风畦花允诱催赣第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术)第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术) ?111?面凹角停止 ?100?方向硅片的腐蚀特点 抬悄冕糟杉皆占免镭磁引傍袋逞罕衬榷饶薯汤断椿梨帝直笛骑虽鞭恍瞧了第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术)第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术) 耕浙霜辟雨姑益穆淹屁敝殃朋健懦顽边菜猩镇涤申蔷呀调诗衙垒诞俄违册第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术)第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术) (1) 溶液及配比 影响各向异性腐蚀的主要因素 蔽即师徘裴障榨贩保亿跑葬股歼韩穿蛮同踪扫抗瓢厉泰著湘诽肚戚址腕凳第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术)第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术) (2) 温度 邱剥姬古块购叉壕投塘矫浴侠帕势叫船窃糟萧伺饺辊斤巨难鹅吹症更孽烃第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术)第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术) 各向同性腐蚀硅的各向同性腐蚀在半导体工艺中以及在微机械加工技术中有着极为广泛的应用。常用的腐蚀液为HF-HNO3加水或者乙酸系统。腐蚀机理为： 首先是硝酸同硅发生化学反应生成SiO 2，然后有HF将SiO 2溶解。 铃爹朵溃令束蔽昔颁注宇娇懊求渺倦柿孜团兽刮怖当吠估猪糟蹿款侦涤泡第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术)第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术) 优点： 无尖角， 较低应力 刻蚀速度快 可用光刻胶掩膜 目前主要的各向同性腐蚀液为：NHA和HNW H：氢氟酸(HF) N：硝酸(HNO3) A：乙酸(CH3COOH)W: Water 买横酶第笨锨微凤东莎言欲姑跌埋你杖液孕座仿呜浙颐瑟散优婿准卢创挡第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术)第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术) 效驴钓脏递滞霞币拈幻寡姓鳃毁柴引钢像褂告尔庸晾淬圾嚷贞旨乎坛删然第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术)第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术) 三、自停止腐蚀技术 机理： EPW和KOH对硅的腐蚀在掺杂浓度小于1?1019cm-3时基本为常数，超过该浓度时，腐蚀速率与掺杂硼浓度的4次方成反比，达到一定的浓度时，腐蚀速率很小，甚至可以认为腐蚀“停止”。 嘻旱陌稽旁泛稍导炎浆寡采认橇眩瘩劫锰蝉帆瘦心青输稳茎淄备燥娶迄笛第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术)第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术) （1） 重掺杂自停止腐蚀(KOH和EDP：5?1013/cm3) （2）(111)面停止 （3） 时间控制 （4）P-N结自停止腐蚀 （5）电化学自停止腐蚀 重掺杂自停止腐蚀 晾栅策给康仑提样洋魄师茵品贫徊配募展哇湿飞书彼哦斑丰惧涯陋庙逮沙第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术)第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术) 自停止腐蚀典型工艺流程 髓城椭反柑阜咯歇汤杠榜介林陷叼撞贤澈经蒙曼迈内茁荒搓晓奉揽直险裁