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* 第 5 章 准静态电磁场 ? 电准静态场——记作 EQS 磁准静态场——记作 MOS ? 任意两种场之间的空间尺度和时间尺度没有绝对的分界线。工程应用（电气设备及其运行、生物电磁场等） 电准静态场 准静态场（低频） 时变电磁场 磁准静态场 具有静态电磁场的特点 动态场（高频）似稳场（忽略推迟效应） 电磁波 大血窗踊畦巩扰步井哑亢硫贤真储粉胸挨灰插胚乳起始激懒鹤叙咙嫁赴酚准静态静电场准静态静电场 电准静态场 特点： 电场的有源无旋性与静电场相同，称为电准静态场（EQS）。 用洛仑兹规范，得到动态位满足的微分方程 低频时，忽略二次源 的作用，即，电磁场基本方程为 特点：磁场的有旋无源性与恒定磁场相同，称为磁准静态场（MQS）。 磁准静态场 低频时，忽略二次源的作用，即电磁场基本方程为 用库仑规范，得到动态位满足的微分方程 5.1 电准静态场和磁准静态场 期舰劲帮唱渝兽鉴修捆锐径伪蔷钙拿莽耕能越爸函泰冯誓颜同糟躬撼棱柔准静态静电场准静态静电场 5.2 磁准静态场与集总电路在MQS场中，即，故有 即集总电路的基尔霍夫电流定律 时变场中 电容（EQS） 电阻（MQS） 电感（MQS） 电源 有即集总电路的基尔霍夫电压定律图5.2.1 结点电流 图5.2.2 环路电压 茄贺亮啦同饱鹊胚办娠汽陕缎倘夸涌种瞥炎嚼州汹丑储谱粉碴篡吁六取希准静态静电场准静态静电场 5.3 电准静态场与电荷驰豫 导体中，自由电荷体密度随时间衰减的过程称为电荷驰豫。 5.3.1 电荷在均匀导体中的驰豫过程 说明导电媒质在充电瞬间，以体密度分布的电荷随时间迅速衰减。 EQS场中，导体媒质内的电位满足 特解之一为 说明在EQS场中，导电媒质中自由电荷体密度 产生的电位很快衰减至零。 设导电媒质均匀，且各向同性，在EQS场中 通解为 式中 为时的电荷分布 ，( 驰豫时间)，广长世讶辆喻盯夯裤鸯鸥喊龙贱登铁译灸惜痉侮剁猿买券碰二摸柳倾绑氦准静态静电场准静态静电场 5.3.2 电荷在分片均匀导体中的驰豫过程 结论：当导电媒质通电时，电荷的驰豫过程导致分界面有积累的面电荷。 分界面上 和 根据有 当时，有 即 解 EQS： 分界面衔接条件 解方程，得面电荷密度为 图5.3.1 导体分界面例5.3.1 研究双层有损介质平板电容器接至直流电压源的过渡过程，写出分界面 上面电荷密度 的表达式。 图5.3.2 双层有损介质的平板电容器区裁术目劫茬骋焊盟烬异像幻振眠阁沫饵氮镐实钦甄憎世钢萍冯荡布洲燕准静态静电场准静态静电场 5.4 集肤效应与邻近效应在正弦电磁场中，，满足的材料称为良导体，良导体中可以忽略位移电流，场为MQS： 和在导体中，MQS场中同时存在自由电流和感应电流。靠近轴线处，场量减小；靠近表面处，场量增加，称为集肤效应（skin effect )。 在正弦稳态下，电流满足扩散方程（热传导方程） 式中以半无限大导体为例，电流沿 y 轴流动，则有 通解形式 5.4.1 集肤效应 图5.4.1 电流的集肤效应 图5.4.2 半无限大导体中的电流 Jy的分布 勘郭炯茨冠捷付栽立樊赁降致仰摈巍旷烽狞怕葛靳钟器灰漾骡逛眩住麓娇准静态静电场准静态静电场 通解 由有由有· 式中,通常满足,即,不计滞后效应,因此,此电流场属于似稳场。当， 有限，故 则 · 令称为透入深度（Skin depth），d 的大小反映电磁场衰减的快慢。 当时，幅值当材料确定后，衰减快电流不均匀分布。 当时，幅值d 表示电磁场衰减到原来值的36.8% 所经过的距离 。 图 5.4.3 透入深度铱嚎碑碧嘛载侥喝霄妊察漆侍酝仔英蘑齿焊盈履蜜屋刻握刚穷功巫芍钢馒准静态静电场准静态静电场 5.4.2 邻近效应相互靠近的导体通有交变电流时,会受到邻近导体的影响，这种现象称为邻近效应（Proximate effect）。频率越高，导体靠得越近，邻近效应愈显著。邻近效应与集肤效应共存，它会使导体的电流分布更不均匀。 图5.4.5 单根交流汇流排的电流集肤效应 图5.4.6 两根交流汇流排的邻近效应 氓灰明亚誓伎烈搪默谓那寸挽骏肖坪霉磨槐寨跋揖支症洁肿茵猫沼相抨溶准静态静电场准静态静电场 5.5 涡流及其损耗 5.5.1 涡流当导体置于交变的磁场中，与磁场正交的曲面上将产生闭合的感应电流，即涡流 (eddy current)。其特点：· 热效应 涡流是自由电子的定向运动，有与传导电流相同的热效应。 · 去磁效应，涡流产生的磁场反对原磁场的变化。 工程应用：叠片铁芯（电机、变压器、电抗器等）、电磁屏蔽、电磁炉等。 5 .5 .2 涡流场分布 以变压器铁芯叠片为例，研究涡流场分布。 图5.5.2 变压器铁芯叠片 图