实验-朱俊-2010.pptVIP

* * 半 导 体 物 理 实 验 朱 俊 微电子与固体电子学院 实验仪器及安排情况： 1、霍尔效应：3台，一次3×2人； 2、硅单晶少子寿命：一台，一次1×2人； 3、准静态C-V/高频C-V，一次2～4人； 4、单波长椭偏仪测厚度：3台，一次3×2人。 同学们根据安排在老师指导下，确定具体实验。 整个实验过程包括：实验理论原理的学习、实验预习准备、实验过程、数据分析和完成实验报告等。请同学们充分准备实验。 时间与地址： 12.13-12.19，共一周，211楼604 实验一 MOS 结构高频 C-V 特性测量 本实验目的: 是通过测量MOS结构高频C-V特性，确定二氧化硅层厚度dOX、衬底掺杂浓度N和可动电荷面密度QI等参数。 P型衬底理想MOS结构高频电容-电压特性曲线如图所示。。最大电容Cmax≈COX，最小电容Cmin和最大电容Cmax之间有如下关系 : d0 NA CFB、VFB 实验二 MOS结构准静态C－V 特性测量 MOS结构低频C-V特性，是确定二氧化硅层厚度界面态密度参数（简称准静 态C－V特性）测量是检测MOS器件制造工艺的重要手段。 本实验目的是通过测量MOS结构低频C-V特性，确定二氧化硅层厚度界面态密度参数． 由准静态C-V测量来确定界面态密度的基本原理，就是通过低频（准静态）C-V测量得到的MOS 电容值，和理论计算得到的相同表面势