4存储器-2半导体M(s).ppt

* * 本章知识架构： 存储子系统 存储器分类 半导体存储器 磁表面存储器 存储原理 存储器设计 动态刷新 存储原理 磁盘存储器 第二节 半导体存储器 工艺 双极型 MOS型 TTL型 ECL型 速度很快、 功耗大、 容量小 电路结构 PMOS NMOS CMOS 功耗小、 容量大 工作方式 静态MOS 动态MOS 存储信息原理 静态存储器SRAM 动态存储器DRAM （双极型、静态MOS型）： 依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存储信息。 （动态MOS型）： 依靠电容存储电荷的原理存储信息。 功耗较大,速度快,作Cache。 功耗较小,容量大,速度较快,作主存。 （静态MOS除外） 4.2.1 静态MOS存储单元与存储芯片 1.六管单元 （1）组成 Vcc T3 T1 T4 T2 T5 T6 Z W W （2）定义 （3）工作 （4）保持 A B 地址端： 2114（1K×4） 1 9 10 18 A6 A5 A4 A3 A0 A1 A2 CS GND Vcc A7 A8 A9 D0 D1 D2 D3 WE A9～A0（入） 数据端： D3～D0（入/出） 控制端： 片选CS = 0 选中芯片 = 1 未选中芯片 写使能WE = 0 写 = 1 读 电源、地 2.存储芯片 例.SRAM芯片2114 外特性： 4.2.2 动态MOS存储单元与存储芯片 1.四管单