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第1章 晶体二极管 *1 晶体二极管:由PN结构成的电子器件.. *2 晶体二极管的主要特性:单向导电性. *3 晶体二极管结构.符号 1.1 半导体的基础知识 一、半导体特性 *1 导体. ρ10-3Ω?cm 绝缘体. ρ108Ω?cm 半导体 10-3Ω?cm ρ 108Ω?cm *2 半导体的独特性质 1）掺杂性: ρ受‘掺杂’影响大 2）热敏性：ρ随温度上升而下降 3）光敏性：ρ随光照的增强而下降 *3 导电性有差异的根本原因:物质内部原子结构. 1 本征半导体 1) 本征半导体 2) 共价键 3) 本征半导体的导电性 ①本征激发.载流子 ②空穴 ③本征半导体两种载流子:自由电子.空穴 ④电子-空穴对 ⑤复合 2 、杂质半导体 * 杂质半导体 1)N型半导体 ①多子-电子, 少子-空穴 np ②施主杂质 ③热平衡条件：n·p=ni2 电中性条件：n=Nd+p 2）P型半导体 ①多子-空穴, 少子-电子， pn ②受主杂质 ③热平衡条件：n·p=ni2 电中性条件：p=Na+n 1.2 PN结 一、 PN结的基本原理 1.PN结 1）PN结中载流子的运动→空间电荷区 *1 漂移电流 *2 扩散电流 *3动态平衡： 二.PN结的单向导电性 1、正向特性 2、反向特性 3、伏安特性 Is：反向饱和电流； VT：热电压。常温（300k）下， VT=26mV。 4、温度特性 5、击穿特性 ①雪崩击穿 ②齐纳击穿 1.3 晶体二极管 一、符号及特性曲线 1 、符号 2.特性曲线 二.二极管模型 1.简化电路模型 2、小信号电路模型 三.晶体二极管电路分析方法 1.图解法 2.简化分析法 采用简化电路模型 3.小信号分析法（|ΔV|5.2mV） 例：电路如图： 1）利用硅二极管恒压模型求电路的ID和uo=Uo=？ 2）在室温（300K）的情况下，利用二极管小信 号模型求uo的变化范围。 解：1） 2） 例：在图(a)所示电路中，试画出VO随VI变化的 传输特性。 解： 1.4 晶体二极管的应用 利用晶体二极管的单向导电性和反向击穿特性 构成整流，稳压，限幅电路 ? 单相小功率直流电源 1）整流电路 2）稳压电路 ①稳压原理 Izmin≤Iz≤Izmax ②稳压电路 3）限幅电路 * 本章小结 1 晶体二极管特性. 2 晶体二极管分析方法. 3 晶体二极管的应用-整流.稳压.限幅. * ° ° ° D + - VD(on) RD rs rd ° ° * * *
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