厚膜混合集成电路课件第21章.pptVIP

2.1 厚膜基板 一、基板的作用与要求 1. 作用 承载作用：厚膜元件、外贴元器件、互连导体以及整个电路； 绝缘作用：提供元器件之间的电绝缘； 导热、散热作用：将元器件工作时产生的热量即时散发出去； 2、要求 基板的性能对厚膜元件和整个电路性能、工艺有很大的影响，特别在可靠性和工艺重现性等方面关系十分密切。 基板要求: 1）表面性能 表面平整、光滑，具有适当的表面光洁度。 2）电性能 ρv 、ρs 高，tgδ小，保证绝缘性能。 3）热性能 导热性高 基板的热膨胀系数应与电路所用的材料相 匹配。 4）机械性能 机械强度和硬度高---能经受机械振动、冲 击和热冲击 良好的加工性能---切割、加工和钻孔等 5）化学性能 化学稳定性高--不受各种化学试剂和溶剂 的影响。 与电路材料有很好的相容性。 6）其他性能 耐高温，经受多次高温烧结不变形; 成本要低; 重量轻; 1）氧化铝基板： 主要成分Al2O3 ，Al2O3含量越高，基板性能 （电性能、机械强度、表面光洁度等）越好。但烧 结温度高、价格贵。 厚膜电路一般采用94～Al2O3瓷（晶粒尺寸 3～5μm）。 85瓷和75瓷性能较前者稍差，但成本较低，所 以目前国内外也有采用。 氧化铝基板的性能 热导率和氧化铝含量的关系 优点： 价格适中； 各种性能基本满足厚膜电路的要求； 与厚膜混合集成电路相容性比较好，目前使用最广泛； 缺点： 热导率没有氧化铍基板、氮化铝基板高。 2）氧化铍基板： 优点： 热导率高（常温下2.64J/cm· ℃·s），仅次于银、铜、金与铝相近，为氧化铝的10倍； 体积电阻率大； 介电系数小、高频下损耗小、适于高频、大功率电路； 能与大多数厚膜浆料相容。 缺点： 粉末有毒，价格较贵、机械强度不如氧化铝。 如果不考虑成本和毒性，氧化铍是一种理想的基 片材料。 氧化铍陶瓷有负的电阻率温度系数。 3）氮化铝基板 是一种新型陶瓷基板。 优点： 热导率高（与99.5%BeO陶瓷大致相同，为氧化铝 的8～10倍）； 热导率与温度的关系比氧化铍瓷小； 抗弯强度大、硬度小、机械加工比较容易（抗弯强度比氧化铝大但硬度仅为氧化铝的一半）； 热胀系数比氧化铍小（4.4ppm/℃），与Si接近， 这有利于组装大规模IC芯片； 与Au、Ag-Pd和Cu浆料的相容性较好，可作高频、 大功率电路基板，还适于高密度、大功率的微波 电路以及大规模厚膜IC。 缺点： 成本高；对杂质含量敏感； 几种陶瓷基板热膨胀系数的比较 4）碳化硅基板： 以α-SiC为主，掺以微量 BeO (0.1-0.35%)的新型基板。 优点： 热导率是金属铝的1.2倍，比BeO瓷还要高，从热扩散系数、热容量看该基板传热比Cu还要好。 SiC基板的抗弯强度为44100N/㎝2与氧化铝相近。 热胀系数与单晶硅几乎相同，所以适合组装大规模IC芯片。 缺点 体积电阻率比氧化铝和氧化铍低。 介电系数高，因此高频性能不如氧化铝。 新型SiC陶瓷与其它材料的性能比较 5）多层陶瓷基板： 为了提高组装密度，使电路高密度化、小型化、 高速化而研制的陶瓷基板（多为氧化铝瓷）。 多层化的方法有三种： a.厚膜多层法： 在氧化铝基板上交替印烧导体（Au、Ag-Pd等）和 介质浆料。 特点： 制造灵活性大; 可在空气中烧结，温度＜1000℃; 层内含电阻、电容等，制造过程容易实现自动 化。 缺点： 制作微细线困难，层数也不能太多； 可焊性、密封性不如其它二种方法。 b.印刷多层法： 将与生基板成分相同的氧化铝制成浆料； 交替在氧化铝基板上印刷和干燥 Mo、W等导 体以及氧化铝介质浆料； （此时各层间的印刷导体就可以通过层间的通孔实现层间连接）。 在1500～1700℃的还原气氛中烧成； 在烧成导体部分镀Ni、Au形成焊接区； c. 生基板叠层法： 在生基板上冲好通孔； 在生基板上印刷Mo、W等导体； 重叠所需层数，在490-1470N/cm2压力和80 – 150℃下叠压； 在1500-1700℃的还原气氛中烧成。 在烧结过程中，薄片里的SiO2、CaO、MgO扩散 到导体层中形成中间层，从而可得牢固的结合强度 优点：（后两种二种方法） ＊ 利