Diode介绍及基本应用.ppt

Diode介绍及基本应用 PD EE：王念茂 肖磊 Diode 内容 1.半导体基础 2.P-N结的形成 3.二极管参数及特性 4.二极管应用举例 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 二极管的伏安特性曲线 求电路的ID和VD ，已知R=10K 在两种情况下计算: （1） VDD =10V （2） VDD =1V 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 第一节 ：半导体二极管 稳压管应用 稳压管应用  二极管分类: 按材料可分为:锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管） 按用途可分为:光电二极管、发光二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关二极管、限幅二极管等 半导体二极管的结构类型 二极管的结构  Thank You For Your Attention! 二极管使用直流理想模型 （2）VDD=1V 时 首先：将原始电路中的二极管用它的理想模型代替，得到右侧的电路 然后：判断理想二极管的状态（导通或截止）。方法：将理想二极管断开，求阳极和阴极的电位差，若0,则理想二极管正向导通；若0，则理想二极管反向截止 在本题目中理想二极管正向导通，用理想的导线代替二极管 （硅二极管典型值） 2）二极管使用直流恒压降模型 首先：将原始电路中的二极管用它的直流恒压降模型代替，得到右侧的电路 然后：判断理想二极管的状态（导通或截止）。方法：将理想二极管断开，求阳极和阴极的电位差，若0,则理想二极管正向导通；若0，则理想二极管反向截止 在本题目中理想二极管正向导通，用理想的导线代替二极管 （硅二极管典型值） 设 二极管使用直流折线模型 首先：将原始电路中的二极管用它的直流折线模型代替，得到右侧的电路 然后：判断理想二极管的状态（导通或截止）。方法：将理想二极管断开，求阳极和阴极的电位差，若0,则理想二极管正向导通；若0，则理想二极管反向截止 在本题目中理想二极管正向导通，用理想的导线代替二极管 VDD=10V 时 VDD=1V 时 1）二极管使用直流理想模型 2）二极管使用直流恒压降模型 VDD=10V 时 VDD=1V 时 （硅二极管典型值） （硅二极管典型值） 二极管使用直流折线模型 VDD=10V 时 VDD=1V 时 当电源电压远大于二极管管压降的情况下，恒压降模型就可以取得比较合理的结果 当电源电压较低时，就必须使用折线模型才可以取得比较合理的结果 理想模型计算最简单，但是误差最大 本题目中，二极管当作开关来使用， 即在所有时间内均导通 * 2.1.2 二极管的符号及其主要参数 半导体二极管是最基本的半导体器件之一，具有“单向导电性”，主要分为检波、开关、稳压及整流等类型。 将一个PN结加上管脚引线、封上管壳就构成二极管。其电路符号如右所示。 图中：A端为阳极（正极）接PN结的P区，K端为阴极（负极）接PN结的N区。 二极管符号 * 2.1.2 二极管的符号及其主要参数 二极管的主要参数有： ⑴最大正向电流IF:指允许流过的最大电流，正常工作时，应使其实际流过的电流小于IF 。 ⑵反向击穿电压U(RB):指二极管被反向击穿时，对其施加的反向电压值。 ⑶反向电流IR:指在室温下，在规定反向电压的范围内，测出的反向电流值。约为几十纳安。 ⑷最高工作频率fT:指允许工作频率的上限值，当超过它时，二极管将失去单向导电性。 * ⑸反向恢复时间tre:指二极管在开关运用时，由导通状态变为截止状态所经历的时间，通常为几纳秒，越小越好。 2.1.2 二极管的符号及其主要参数 ⑹温度影响:由于二极管含有两种载流子，特别是少数载流子的漂移运动受温度的影响很大。即当温度升高时，IR将急剧增加，硅管的IR值比锗管的要小得多。 一． 势垒电容CB 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。 PN结的电容效应（非线性电容）