第六章MOS存储器课题.ppt

*韩 良 * 6.8.3 DRAM单管存储单元的工作原理1. 信息的写入要写入的数据由输入电路加到选中单元的位线（B）上；被选中单元的字线（W）上加高电平，电容Cs通过打开的门控管被充电或放电；字线（W）回落到低电平， 门控管截止，信息就被存储在Cs上（有电荷或无电荷）。 B W Cs *韩 良 * 6.8.3 DRAM单管存储单元的工作原理2. 信息的读出被选中单元的字线（W）上加高电平，门控管打开，电容Cs上有电荷或无电荷的状态通过MOS管被送到位线（B）上，即Cs上原存储的数据被读出； B W Cs *韩 良 * 6.8.4 DRAM存储阵列 W0 B0 B1 B2 B3 W1 W2 W3 *韩 良 * 6.8.5 DRAM读出时的问题由于存储单元尺寸小，Cs电容值较小，而位线上连接单元较多，使得位线上寄生电容较大，因而： 1. 读出速度很慢（无源驱动）； 2. 电荷再分配使读出电平与希望的“0”电平或“1”电平间有大幅差值，发生读出错误数据； B W Cs如设CS上原来存有正电荷，电压VCS为高电平，而位线电位VB=0，则执行读操 作后位线电平将上升为因为在实际的存储器电路中位 线上总是同时接有个多存储单元， *韩 良 * 6.8.5 DRAM读出时的问题 使CB Cs, 所以位线上读出的电压信号很小。而且在读出以后CS上的电压也变得很小，所以这时一种破坏性读出。因此，需要在DRAM中设置灵敏的读出放大器，一方面将读出信号加以放大，另一方面将存储单元里原来存储的信号恢复。 3. 读出后， Cs上存储的电荷大 幅度变化，存储信息将会丢失。 4.由于客观存在的漏电现象，长时间后存储的信息将会丢失。 B W Cs *韩 良 * 6.8.6 DRAM虚拟单元的设置读出灵敏放大器一般都选择双端差分输入结构，而单管单元是单字线结构，因此需要设置一个虚拟单元与被选单元相配合产生差分输出。一般都将虚拟单元设计成与存储单元相同，但是其在位线（B）上产生的读出电平为“0”电平和“1”电平的中间值，称为参考电平VR。 B0 W Cs B1 Cs B2 Cs 存储单元 B Cs 虚拟单元 *韩 良 * 6.8.7 DRAM的读出、再生放大器1. 电路结构为了使灵敏放大器两个输入端对称，一般将一条位线上的存储单元分成两半，对称地安排在放大器两侧，并在两侧各设置一个虚拟单元。灵敏放大器一般自身还具有读/写之前的自平衡电路。 BiW0 Wk Wk+1 Wn Bi VDD Wv2 Wv1 VR发生器 *韩 良 * 6.8.7 DRAM的读出、再生放大器2. 工作原理 （1）自平衡：在读写之前?为“1”（ ?为“0”），放大器不工作，放大器两侧（Bi和Bi）平衡。（同时，虚拟单元被充电为半压VR ） BiW0 Wk Wk+1 Wn Bi VDD Wv2 Wv1 VR发生器 *韩 良 * 6.8.7 DRAM的读出、再生放大器2. 工作原理 BiW0 Wk Wk+1 Wn Bi VDD Wv2 Wv1 VR发生器 （2）读出与再生：读时， ?为“0”（ ?为“1”），在字线（W）被选中的同时，对侧的虚拟字线（Wv）也被选中，Bi和Bi出现电平差，通过放大器的正反馈， 使Bi和Bi分别被拉到相应的真正“0”或真正“1”，完成了读出，同时又写回原存储单元。 *韩 良 * §6-9 CAMCAM（按内容寻址的存储器——Content Addressable Memory） *韩 良 * 思考题 1. CAM 一般划分为哪几类？2. 各类CAM具有哪些特点 ？ *韩 良 * 6.9.1 CAM的特点及分类具有存储器（如SRAM，DRAM）一样的按地址对存储单元进行读、写操作功能。具有一项特殊的搜索比较功能——将新输入的数据与其存储阵列中存储的所有数据进行比较匹配，并按一定的匹配规则输出完全匹配或部分匹配的某个或某些匹配字的地址。按照存储单元能提供的状态数量划分为两态CAM和三态CAM两类；按照匹配线比较逻辑连接方式划分为与非CAM和或非 CAM。 *韩 良 * 6.9.2 两态CAM单元（Binary CAM，BCAM）(1) 9管基本单元BL WL DD V M 3 M 4 M 1 M 2 M 6 M 5 Q Q M 7 BL M 8 DD V M 9 ML 数 据 存 储 部 分 数 据 比 较 部 分上部也是一个SRAM 6管存储单元，完成数据的写入/读出。下部是一个数据比较逻辑，比较前匹配线ML需要被预充到“1”。比较时，字线WL=0，BL和BL是送进来被比较的数据和数据非。输入数据与存储数据不匹配时，即BL和Q不同，匹配线ML被下拉至“0”；输入