4场效应管放大电路分析.ppt

4.2.2 场效应管的动态分析 与双极型晶体管一样，场效应管也是一种非线性器件，在交流小信号情况下，也可以由它的线性等效电路—交流小信号模型来代替。 1. 场效应管的低频小信号模型 低频模型rds=∞ + ?a + - Uds - S rds g d id . Ugs . gmUgs . 高频模型 2.应用小信号模型法分析共源FET放大电路 R Rg1||Rg1 + + + + _ _ _ _ vs vi vgs gmvgs vo Rd R Rs g d id Ri Ro 例5.2.5 设Rg1=150k, Rg2=47k, Rd=10k, R=0.5K, RS=3k,gm=1mS. 试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压UDSQ 解: 电压增益 输入电阻 输出电阻 源电压增益 2.应用小信号模型法分析共源FET放大电路 ui uo - + C Rg1 T Cb1 +VDD R g s d Rd RL + - Cb2 Rg2 Rg3 + + 分析：画出共源放大电路的交流小信号等效电路。 （1）求电压放大倍数 （2）求输入电阻 （3）求输出电阻 ) // ( g2 g1 g3 i R R R R + ? d o R R ? Ui Uo gmUgs . + - + g d Ugs Rg3 Ri RL - S - + Ro Rd Rg1 Rg2 . . ) // ( L d gs m o R R U g U - = . . gs i U U = . . ) // ( L d m R R g Ui Vo AU - = = . . . （2）电压放大倍数 （3）输入电阻 得: （1）画交流小信号等效电路。 由 例：共漏放大电路 1 ? ) // ( g2 g1 g3 i R R R R + ? Cb1 +VDD s T Rg2 uo d R RL + - + us - Rs Cb2 Rg3 Rg1 + g ) // ( L gs m gs i R R g U + = U U . . . ) // ( L gs m o R R g U = U . . ) // ( 1 ) // ( L m L m i o U R R g R R g U V A + = = . . . + - + + - g d s m g Ri R RL Ugs Uo - + - Rs Rg3 Rg2 Rg1 . Us . Ugs . . Ui . Ro （4）输出电阻 所以 由图有 m 1 // g R = + - g d s R Ro IR + m g Ugs VT - Rs Rg3 Rg2 Rg1 . Ugs . . . IT 又 则 本章小结 1．FET分为JFET和MOSFET两种，工作时只有一种载流子参与导电，因此称为单极性型晶体管。FET是一种压控电流型器件，改变其栅源电压就可以改变其漏极电流。 2．FET放大器的偏置电路与BJT放大器不同，主要有自偏压式和分压式两种。 3． FET放大电路也有三种组态：共源、共漏和共栅。 电路的动态分析需首先利用FET的交流模型建立电路的交流等效电路，然后再进行计算，求出电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等量。 * * * * 模拟电子技术基础——场效应管放大电路 主讲:刘童娜 4.1 场效应管 4.2 场效应管放大电路 4.3 场效应管放大电路的频率响应 BJT是一种电流控制器件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 4.1 场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 FET 绝缘栅场效应管 IGFET (Insulated Gate FET) 结 型场效应管 JFET （ Junction FET） 4.1.1 场效应管（FET）的分类 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET。 分为： 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）又称为绝缘栅场效应管。它的栅极处于绝缘状态，所以输入电阻极高。 耗尽型 当UGS=0时 存在导电沟道 iD不等于零 增强型 当UGS=0时 无