第3章 集成逻辑门电路解说.ppt

* 3.4.7 CMOS三态门（TS门）和TTL门电路一样，CMOS电路也有三态输出门。在CMOS反相器的基础上增加一个附加的N沟道增强型MOS驱动管VN’和一个附加的P沟道增强型MOS负载管VP’。 * 三态门原理分析当使能端为低电平时，VN’和VP’管导通，电路实现反相功能。 （低电平有效）当使能端为高电平时， VN’和VP’管均截止，电路为高阻状态。 低电平有效 *2. 在CMOS反相器的输出端串接一个CMOS双向模拟开关实现三态输出当使能端为低电平时，TG门导通，电路实现反相功能。 （低电平有效）当使能端为高电平时， TG门截止，电路为高阻状态。 *3. 增加附加管和门电路组成的CMOS三态门 （1）在CMOS反相器的基础上附加一个负载管VP及控制用的或非门。当使能端为低电平时，或非门打开，VP管导通，F=A。 （低电平有效）当使能端为高电平时， 或非门封锁，电路为高阻状态。 * （2）在CMOS反相器的基础上附加一驱动管VN’ 及控制用的与非门，也能组成CMOS三态门。当使能端为高电平时，与非门打开，VN’管导通，F=A。 （高电平有效）当使能端为低电平时， 与非门封锁，电路为高阻状态。 高电平有效 * 3.4.8 CMOS门电路的构成规律与使用时的注意事项 1. CMOS门电路的构成规律 （1） 驱动管串联，负载管并联；驱动管并联，负载管串联。 （2）驱动管先串后并，负载管先并后串；驱动管先并后串，负载管先串后并。驱动管相串为“与”，相并为“或”，先串后并为先“与”后“或”，先并后串为先“或”后“与”。驱动管组和负载管组连接点引出输出为“取反”。 * 2.使用CMOS集成电路的注意事项由于CMOS输入端很容易因感应静电而被击穿。使用时要注意以下几点： （1） 采用金属屏蔽盒储存或金属纸包装，防止外来感应电压击穿器件。 （2） 工作台面不宜用绝缘良好的材料，如塑料、橡皮等，防止积累静电击穿器件。 * （3）不用的输入端或者多余的门都不能悬空；输出级所连电容负载不能大于500pF，否则，输出级功率过大会损坏电路。 （4）焊接时，应采用20W或25W内热式电烙铁，烙铁要接地良好，烙铁功率不能过大。 （5）调试时，所用仪器仪表、电路箱、板都应良好接地。 2.使用CMOS集成电路的注意事项 * （6）严禁带电插、拔器件或拆装电路板，以免瞬态电压损坏CMOS器件。 （7）在CMOS门电路与TTL逻辑电路混用时，一般要注意逻辑电平的匹配。 2.使用CMOS集成电路的注意事项 * 3.5 各类逻辑门的性能比较 3.5.1 集成逻辑门系列简介1. 集成逻辑门系列简介 （1） TTL门电路系列TTL门电路分为54（军用）和74（商 用）两大系列，每个系列又有若干子系列。 * 制造时,在sio2绝缘层中掺入大量的正离子,即使UGS =0，在正离子的作用下，源-漏之间也存在导电沟道。只要加正向UDS ，就会产生ID。 结构示意图 P 源极S 漏极D 栅极G B N+ N+ 正离子 反型层 SiO2 2. N沟道耗尽型MOS管 （1）结构 只有当UGS小于某一值时，才会使导电沟道消失，此时的UGS称为夹断电压UGS(off) 。 * D N沟道符号 B S G P沟道符号 D B S G MOS管符号 D B S G N沟道符号 D B S G P沟道符号 耗尽型MOS管符号 增强型MOS管符号 * N沟道耗尽型MOS管的特性曲线 （2）特性曲线 4 3 2 1 0 4 8 12 UGS =1V –2V –3V 输出特性 转移特性 1 2 3 0V –1 0 1 2 –1 –2 –3 UGS / V ?ID ?UGS UGs(off) UDS / V UDS =10V ID /mA ID /mA * NMOS耗尽型 PMOS耗尽型 场效应管的符号及特性 * NMOS增强型 PMOS增强型 场效应管的符号及特性 * （1） vI= vGS VTH，MOS管截止， vo≈VDD ，(开关断开)。 3） MOS三极管的基本开关电路 （2）vI VTH ，恒流区，放大。 （3）vI 再增加， MOS管的导通电阻Ron下降，当RD Ron ， VOL≈0 ，(开关闭合)。*MOS管相当于一个由栅源电压vGS 控制的无触点开关，当输入信号为低电平时，MOS管截止，相当于开关“断开”，输出为高电平。 3） MOS三极管的基本开关电路 *当输入信号为高电平时，MOS管工作在可变电阻区，相当于开关“闭合”，输出为低电平。图中Ron为MOS管导通时的等效电阻，约为1KΩ。 3） MOS三极管的基本开关电路 * 图 3－44 MOS管的开关电路 4) MOS管开关电路的动态特性 * 5） 双极型晶体管、 MOS管的比较 c