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IC设计 CMOS集成电路中常用器件的符号 三极管 常见单元模块的符号 原理图的其他常用符号 电路原理图的设计 电路原理图的设计 CMOS倒相器 电阻的spice描述 仿真分析 直流分析: 求解直流转移特性(.DC)，输入加扫描电压或电流，求输出和其他节点电压或电流。 .TF, .OP, .SENSE 交流分析(.AC):以频率为变量，在不同的频率上求出稳态下输出和其他节点电压或支路电流的幅值和相位。噪声分析和失真分析。 瞬态分析(.TRAN):以时间为变量，输入加随时间变化的信号，计算输出和其节点电压或支路电流的瞬态值。 温度特性分析(.TEMP):改变温度，分析电路的温度特性。 输出控制 .print.plot 电路SPICE模拟的基本单元是晶体管、电阻、电容等元器件，可以精确地获得电路中各节点的电压或电流，计算中有很多的迭代求解，需要存储空间大、计算时间长； 基于VHDL/Verilog的数字电路逻辑模拟的基本单元是门或功能块，模拟速度比SPICE快三个量级，可验证逻辑功能，但各节点电流、电压不知； 时序分析介于两者之间，可提供详细的波形和时序关系，比SPICE快二个量级，精度低10%，但比带延迟的逻辑模拟的精度要高得多。 回顾电路原理图设计过程 版图设计（物理层设计） 硅芯片上的电阻？电容？电感？晶体管？连线？ CMOS集成电路基本工艺流程 CMOS基本工艺中的层次 硅芯片上的电子世界--电阻 能与CMOS工艺兼容的电阻主要有四种： 扩散电阻、多晶硅电阻、阱电阻、MOS电阻 电阻版图设计 比例电阻的版图结构 需5K,10K,15K电阻，采用5K单位电阻： 硅芯片上的电子世界--电容 两层导体夹一层绝缘体形成平板电容 金属-金属（多层金属工艺，MIM） 金属-多晶硅 多晶硅-多晶硅（双层多晶硅工艺,PIP） 金属-扩散区 多晶硅-扩散区 PN结电容 MOS电容:多晶硅栅极与沟道（源/漏极） 比例电容的版图结构 平板电容 MIM结构，使用顶层金属与其下一层金属； MOS电容 硅芯片上的电子世界--电感 电感版图设计 关键尺寸与剖面图 D: 边长/直径 diameter W: 线条宽度 width S: 线条间隔spacing between N: 匝数 number of turns 硅芯片上的电子世界—晶体管 CMOS N阱工艺中二极管结构有两种，一是psub-nwell，另一个是sp-nwell 硅芯片上的电子世界—晶体管 三极管的设计 三极管的设计 三极管的设计 硅芯片上的电子世界—MOS管 CMOS的设计 硅芯片上的电子世界—引线 硅芯片上的电子世界—引线 硅芯片上的电子世界—引线 版图：描述电子元件以及引线的形状、位置 层次化； 方块图形； 与芯片加工工艺密切相关； 芯片加工厂只需要版图文件，不需要任何电路原理图文件。 CMOS标准工艺的主要层次与掩膜版 版图设计 电子设计 + 绘图艺术 仔细设计，确保质量 MOS管的版图设计 MOS管的版图设计 大尺寸MOS管的版图设计大尺寸MOS管用于提供大电流或大功率的输出，在集成电路的设计中使用非常广泛。它们的版图一般采用并联晶体管结构。 灵活的版面设计 看版图画原理图： 大宽长比的非门 X=C ? (A + B) 看下图，它是什么器件，关键尺寸是多少？ 多晶硅跨过N扩散区，所以它是NMOS; MOS管的版图布局 在版图布局中必须考虑器件分布方式对电路性能的影响，通常尽量对称布局。 器件个体或匹配体的版图设计问题:需考虑形状、方向、连接以及匹配器件在相对位置、方向等方面的问题。尽量通过版图设计避免或减小工艺过程中引起的失配或/和误差。 采用小而多的接触孔，并且接触孔单元尽可能覆盖沟道宽度。 N阱 P衬底 Mask 9 met2 Mask 10 pad 钝化层 开焊盘孔 Mask 10 pad 钝化层 沟道长 沟道宽当多晶硅穿过有源区时，就形成了一个管子。在图中当多晶硅穿过N型有源区时，形成NMOS，当多晶硅穿过P型有源区时，形成PMOS。 N型有源区： P型有源区： 薄氧区(oxide,TO,active) + N扩散区(Nimp，Ndiff) 薄氧区 + P扩散区(Pimp，Pdiff) + N阱(Nwell)当多晶硅穿过有源区时，就形成了一个管子。在图中当多晶硅穿过N型有源区时，形成NMOS，当多晶硅穿过P型有源区时，形成PMOS。 3um 0.6um 管子沟道长：沟道宽： 0.6um 9um 管子沟道长：沟道宽： 0.6um 12um 一个宽沟道的MOS 两个短沟道的MOS 折叠 简单的充分接触的MOS 寄生电容减小1/2 寄生电阻RG减小到1/4 漏区电容最小的“O”型晶体管 N Well In Out V DD GND I