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* 射频器件基础知识 * 无源二极管混频器 ——内部结构 由二极管管堆、传输变压器BALUN、陶瓷或者FR-4基板制作的混频器是业界主流结构形式。二极管管堆的频率范围可以做的很宽，传输变压器形式的BALUN也具有宽频程的优点 * 射频器件基础知识 * 吉尔伯特混频器 ——内部结构 Gilbert 于1967年发明，吉尔伯特混频器采用纯IC制作工艺，MOSFET与BJT是两种主要的结构单元。材料一般选用Si、SiGe、GaAs，后者制造的器件噪声系数与频率特性优良 * 射频器件基础知识 * 无源MESFET混频器 ——内部结构 管芯多采用了MESFET平衡式管堆结构， 其余与二极管混频器基本类似 * 射频器件基础知识 * 有源MESFET混频器 ——内部结构 MMIC MESFET 混频器 * 射频器件基础知识 * 混频器 ——工作原理 射频信号与本振信号通过混频器的相乘作用后，在中频口产生诸多新的频率分量。其中中频分量是其中之一 混频器的本振信号为高功率输入，用于控制二极管或者场效应管的开通与截止 * 射频器件基础知识 * 混频器 ——工作原理 上图分别为中频端口的时域与频域图形。 * 射频器件基础知识 * 滤波器（声表、介质）  ——功能、指标 功能 抑制通道中不需要的频率成分，保证各个信号通道的相互独立 主要指标 中心频率 带宽 带外抑制度 分类 高通滤波器、低通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器 LC滤波器 声表滤波器 介质滤波器 连体式 分立式 * 射频器件基础知识 * 声表滤波器 ——内部结构 * 射频器件基础知识 * 声表滤波器 ——工作原理 声表滤波器的工作原理 电信号→声表面波→电信号 * 射频器件基础知识 * 介质滤波器 ——内部结构 连体式 分体式 * 射频器件基础知识 * λ/4均匀阻抗介质谐振器 结构特点 终端短路同轴线 特征阻抗均匀分布 结构参数 a －内孔半径 b －外孔半径 l －谐振器长度 εr －介质的相对介电常数 σC－金属的电导率 * 射频器件基础知识 * λ/4均匀阻抗介质谐振器 1. 特征阻抗 2. 无载Q值 3. 输入阻抗特性 4. 谐振条件(|Zin|→+∞) 5. 并联谐振特性 * 射频器件基础知识 * 介质滤波器 ——工作原理 * 射频器件基础知识 * 介质滤波器与SAW滤波器的比较 类别 考察指标 介质滤波器 SAW滤波器 中心频率(Hz) ★108~1010 107~109 插入损耗 ★低 高 频率选择性 低 ★高 功率容量 ★大 小 体积 大 ★小 中心频率高，插入损耗低，功率容量大，使介质滤波器成为目前3G基站设备射频信号滤波器的首选。 3G终端设备由于对体积要求苛刻，则大部分采用SAW滤波器。 类别 考察指标 B69812N2147A360 B3669 中心频率/带宽 (MHz) 2140/60 2140/60 插入损耗 /带内抖动(dB) ★ 1.5/0.5 3.0/1.0 带外抑制 (dB) 35@1950MHz ★ 38@1950MHz 最大输入功率(dBm) ★ 30 10 L×W×H (mm) 3.7×3.6×1.9 ★ 3.0×3.0×1.1 ★ —— Better 数据来源：EPCOS网站（WWW.EPCOS.COM） 声表与介质的比较 * 射频器件基础知识 * * 常见的噪声有来自外部的天电噪声，汽车的点火噪声，来自系统内部的热噪声，晶体管等在工作时产生的散粒噪声，信号与噪声的互调产物。 * 常见的噪声有来自外部的天电噪声，汽车的点火噪声，来自系统内部的热噪声，晶体管等在工作时产生的散粒噪声，信号与噪声的互调产物。 * 常见的噪声有来自外部的天电噪声，汽车的点火噪声，来自系统内部的热噪声，晶体管等在工作时产生的散粒噪声，信号与噪声的互调产物。 * 其实单个MESFET并联或串联在射频通道上，就是一个基本的开关控制单元。但这种基本的控制单元性能指标一般不能满足实际应用的需要。例如并联型的隔离度较差、而串联型的驻波较差，并且因为MESFET是负压控制型器件，所以直接应用时电路设计比较麻烦。 * 其实单个MESFET并联或串联在射频通道上，就是一个基本的开关控制单元。但这种基本的控制单元性能指标一般不能满足实际应用的需要。例如并联型的隔离度较差、而串联型的驻波较差，并且因为MESFET是负压控制型器件，所以直接应用时电路设计比较麻烦。 * 其实单个MESFET并联或串联在射频通道上，就是一个基本的开关控制单元。但这种基本的控制单元性能指标一般不能满足实际应用的需要。例如并联型的隔离度较差、而串联型的驻波较差，并且因为MESFET是负压控制型器件