3-导电物理.pptVIP

材料科学与工程学院 周焕福 3.1 导电性和能带理论 1 单质的电导率 3.2 固体能带理论 能量最低原理：电子优先占用能量最低的轨道，填满低能量轨道后，再填其余能量最低的轨道。 保里不相容原理：在同一个原子内不可能出现四个量子数完全一样的电子。或句话说，每个轨道最多只能填两个电子而且自旋方向必须相反。 洪特规则：电子在能量相同的简并轨道上填充时，尽量分占不同的轨道，且自旋方向相同。此状态能量很低，有时甚至舍低能量轨道而就洪特规则。 轨道角度分布图 能带理论的应用 4 半导体三极管 半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor,简称BJT）。 BJT是由两个PN结组成的。 BJT的结构 (3) 欧姆接触 也称为非整流接触。 定义：它不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。从电学上讲，理想欧姆接触的接触电阻与半导体样品或器件相比应当很小，当有电流通过时，欧姆接触上的电压降应当远小于样品或器件本身的压降，这种接触不影响器件的电流-电压特性。 重要性：在超高频和大功率器件中，欧姆接触时设计和制造中的关键问题之一。 实现的办法：对于Si、Ge、GaAs等重要的半导体材料，一般表面态密度很高。势垒的形成与金属的功函数关系不大，不能通用选择金属材料的办法来获得欧姆接触。目前，在实际生产中，主要利用隧道效应的原理来实现。 重掺杂的p-n结可以产生显著的隧道电流。 金属与半导体接触时，如果半导体掺杂浓度很高，则势垒区宽度变薄。隧道电流甚至超过了热电子发射电流。使接触电阻很小。 施主能级 电子能量 电子浓度分布 空穴浓度分布 施主杂质电离使导带 电子浓度增加 施主能级 被施主杂质束缚住的多余电子所处的能级称为施主能级。由于 施主能级上的电子吸收少量的能量 DED后可以跃迁到导带，因 此施主能级位于离导带很近的禁带。 非本征半导体材料：p型 第III族元素(如铟In,镓Ga,铝Al) 掺入Si晶体后，产生多余的空 穴，它们只受到微弱的束缚，只需要很少的能量 DEA Eg 就 可以让多余孔穴自由导电。 B Bˉ 受主杂质 电子浓度分布 空穴浓度分布 受主能级电离使导带 空穴浓度增加 受主能级 被受主杂质束缚的空穴所处的能级称为受主能级 EA。当空穴 获得较小的能量DEA之后就能摆脱束缚，反向跃迁到价带成为 导电空穴。因此，受主能级位于靠近价带EV的禁带中。 电子能量 在热平衡的条件下，对于(非)本征半导体，两种载流子的乘积总等于一个常数： 浓度作用定律 本征材料：电子和空穴总是成对出现 非本征材料：一种载流子的增加伴随着另一种载流子的减少 多数载流子：n型半导体中的电子或者p型半导体中的空穴 少数载流子：n型半导体中的空穴或者p型半导体中的电子 pn结 U 电势 2. 内建电场的驱动导致载流子做反向漂移运动 n型 p型 n型 p型 耗尽层 1. 浓度的差别导致载流子的扩散运动 p n 反向偏压使耗尽区加宽 扩散运动被抑制，只存在少数载流子的漂移运动 U n型 p型 耗尽层 耗尽层 p n 正向偏压使耗尽区变窄 扩散 漂移 U n型 p型 耗尽层 耗尽层 p n 少子飘移 补充耗尽层失去的多子，耗尽层窄，E 多子扩散 又失去多子，耗尽层宽，E 内电场E 多子扩散电流 少子漂移电流 耗尽层 动态平衡： 扩散电流 ＝ 漂移电流 总电流＝0 势垒 UO 硅 0.5V 锗 0.1V 2. PN结的单向导电性 (1) 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场 →耗尽层变窄 →扩散运动＞漂移运动 →多子扩散形成正向电流I F 正向电流 (2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区 外电场的方向与内电场方向相同。 外电场加强内电场 →耗尽层变宽 →漂移运动＞扩散运动 →少子漂移形成反向电流I R P N 在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是一定的，故IR基本上与外加反压的大小无关，所以称为反向饱和电流。但IR与温度有关。 PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 3. PN结的伏安特性曲线及表达式 根据理论推导，PN结的伏安特性曲线如图 正偏 IF（多子扩散） IR（少子漂移） 反偏 反向饱和电流