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Array工艺技术 一. Array工艺流程简介 二、Clean工艺简介 目的： 除去基板表面影响成膜的具有物理特性、化学特性、电学特性的异物及基板表面附着的灰尘、油份、自然氧化物等等，露出干净的膜层及洁净的质地，此外还可以除去成膜后的表面灰尘、异物等。 的:Glass输入时,去除残留的Particle和Metal/有机物等 二、 Clean工艺简介 二、 Clean工艺简介 二、 Clean工艺简介 三、 Sputter工艺简介 三、 Sputter工艺简介 三、 Sputter工艺简介 三、 Sputter工艺简介 溅射功率： 溅射功率主要由直流电源提供。针对不同的工艺可以设定不同的溅射功率。镀膜的时候，采用恒功率溅射。一定时间内，如果溅射功率越大，沉膜效率就越高。 溅射时间：一定功率时，若溅射时间越长，成膜厚度越厚。但是考虑到金属膜溅射后的应力都比较大，因此溅射时间不宜太长。 四、 PECVD工艺简介 四、 PECVD工艺简介 利用化学反应方式,将反应物(气体)生成固态的产物,并沉积在基片表面的薄膜沉积技术. 四