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* 铜热电阻 优点:线性度好,电阻温度系数大、价格低、精度适中; 缺点:高于100℃时,易被氧化; 测温范围:-50~+150℃。 常用铜电阻分度号:Cu100和Cu50。 A=4.28899×10-3(℃-1); B=-2.133×10-7 (℃-2); C=1.233×10-9 (℃-3)。 * 热电阻的结构类型—普通 玻璃烧结式;陶瓷架式;云母管架式 * 热电阻的结构类型—铠装 热电阻,保护套管,绝缘材料封装成一个整体。 * 热电阻的结构类型—薄膜 真空镀膜法将铂直接蒸镀在陶瓷基体上制成的热电阻。厚膜—7μm,薄膜—2μm。 * 半导体热电阻 半导体热电阻—热敏电阻。 材料:常用一定比例的锰、镍、铜、钛、镁的 氧化物混合制成 分类:负温度系数NTC 正温度系数PTC 临界温度系数CTR * 半导体热电阻 * 半导体热敏电阻的外形 * 半导体热敏电阻的特点 测温范围:-100—300℃ 优点: 1、电阻温度系数大,灵敏度高。 2、电阻率大,利于小型化,连接导线影响可以忽略; 3、结构简单、体积小,可以用于测量点温度; 4、热惯性小,适用于表面温度及快速变化温度。 缺点: 热敏电阻温度特性分散、互换性差、非线性严重。 * 热电阻测温电桥 两线制接法电桥测量金属热电阻(几欧-几十 欧范围)时,引线电阻和连接导线电阻随温度变化而变化,这会影响热电阻测温精度。为了消除此影响,发展了三线制、四线制接法热电阻测温桥路。 * 1、接入一个桥臂; 2、引线与连接导线的电阻Rl随环境温度的变化全部加入 到热电阻的变化之中; 3、简单,为了误差不致过大,要求引出线的电阻值随温度的变化,特性为:铜:=0.2%(R0);铂: = 0.1%(R0)。 * 1、第三根接到电源线上; 2、电源与电桥的连接点a从仪表内部的桥路上移到热电阻附近; 3、另外两根引线和连接导线的电阻分别加到电桥相临两桥臂中。 效果:引线与连接导线电阻变化影响减小。 * 热电阻元件的校验 1、比较法 2、两点法 热电阻测温系统的误差分析 1、热电偶分度误差△1 2、自热误差△2 3、线路电阻变化带来的误差△3 4、显示仪表误差△4 * 辐射式测温法 辐射测温是利用物体辐射能与其温度有关的原理进行测温,测温元件与被测物不直接接触,以辐射方式进行热交换,实现非接触测温。可以测量处于运动状态的对象,没有测量上限的限制,应用范围较广。 测温过程: 1、有一个热辐射源(被测对象) 2、有辐射能传递通道(大气、光导纤维或真空) 3、有接收和处理辐射信号的仪表。 * 辐射是由电磁波传递能量的过程。 绝对零度以上时,由于物体内部带电粒子热运动就会向外发射出不同波长的电磁波,把这类电磁波的传播过程称为热辐射。 * 根据被测目标物面积的大小,离探测器的远近,分为点源和面源。 把充满辐射探测器瞬时视场的大面积辐射源称为面源。 把没有充满辐射探测器瞬时视场的辐射源称为点源。 辐射测量得到的辐射能采用一些辐射物理量给予量度。 热辐射源 * 1、辐射能Q:可见光和红外线也是一种能量传播形式,以电磁辐射形式发射、传输或接收的能量称为辐射能,单位J(焦耳)。 2、辐射通量Φ(辐射功率):单位时间内,通过某一面积的辐射能量,称为经过该面积的辐射通量。单位J/s或W。 辐射物理量 * 3、辐射强度I:把辐射源看作称一个点源,则定义点源在某一个指定方向,单位立体角内发射的辐射通量为辐射强度(W/sr)。 单色辐射强度Iλ:也称为光谱辐射强度,是指在波长为λ附近单位波长间隔内的辐射强度。(W/sr·μm) 辐射物理量 * 4、辐射亮度L:辐射源在单位投影辐射面积、单位立体角范围的辐射功率称为辐射亮度L(W/cm2.sr)。 光谱辐射亮度Lλ:辐射源在波长属于λ附近的单位波长间隔的辐射亮度Lλ(W/cm2.sr.μm) 辐射物理量 * 5、辐射出射度M:是辐射表面上每单位面积所发出的辐射功率(W/cm2)。 光谱辐射出射度Mλ:在波长λ附近单位波长间隔内的辐射出射度Mλ(W/cm2.μm)。 辐射物理量 * 6、吸收率、反射率和透射率 辐射物理量 不透明材料: 气体: 黑体:在任何温度下都能全部的吸收投射到其表面的任何波长的辐射能量。 * 7、比辐射率ε(黑度、辐射率):物体温度在T时,所有波长范围内的辐射出射度M与同温度下黑体的辐射出射度Mb之比。 光谱比辐射率ελ(单色黑度、单色辐射率):物体在某温度时的单色辐射出射度Mλ与同温度、同波长的黑体的单色出射度Mbλ之比。 辐射物理量 * 普朗克定律:绝对黑体的辐射能力与温度有关,且随热辐射线的波长而变化,不同温度下黑体辐射能量按波长分布规律由普朗克规律决定。 黑体的辐射特性 温度在30
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