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第2章 逻辑门电路 §2.1 CMOS门电路 CMOS电路的特点 1. 静态功耗小：CMOS门工作时，总是一管导通另一管截止，因而几乎不由电源吸取电流其功耗极小； 2. 集成度高； 3. 抗幅射能力强，MOS管是多数载流子工作，射线辐 射对多数载流子浓度影响不大； 4. 电压范围宽：CMOS门电路输出高电平VOH ≈ VDD，低电平VOL ≈ 0V； 5. 输出驱动电流比较大：扇出能力较大，一般可以大于50； 2.1.4 CMOS门电路的电气特性 2.1.5 CMOS逻辑门系列 CMOS门电路几种常见系列： （1）CD4000系列：基本系列，速度较慢 （2）74HC系列：速度比CD4000系列提高近10倍 （3）74HCT系列：与LSTTL门电路兼容 （4）LVC系列：低电压系列 2.1.6 CMOS漏极开路门 1. 推拉式输出 2.1.6 CMOS漏极开路门 2．推拉式输出门电路不能线与 将门电路的输出端直接连接以实现与的逻辑功能，称为线与。 当L1输出高电平，L2输出低电平时，自G1的VDD→TP→G2的TN→地形成低阻通路。 因此，推拉式输出门电路不能线与。 2.1.6 CMOS漏极开路门 3．OD门（open—drain，OD门）的电路结构和工作原理 VOH=VDD＇- iDR 2.1.6 CMOS漏极开路门 3．OD门可以线与 * 2. 1 CMOS门电路 2.2 TTL门电路 2.3 集成门电路的接口 内部电路是什么样的，如何实现相应的逻辑功能？ 门电路有哪些参数？如何正确使用？ 问题的提出 与非门的逻辑功能： 输入有“0”，输出为“1” 输入全为“1”，输出才为“0” 门电路的分类 2.1.1 MOS管的开关特性 2.1.2 CMOS反相器 2.1.3 CMOS与非门和或非门 2.1.4 CMOS门电路的电气特性 2.1.5 CMOS逻辑电路系列 2.1.6 CMOS OD门 2.1.8 CMOS 传输门 2.1.7 CMOS 三态门 2.1.1 MOS管的开关特性 MOS管又称为绝缘栅型场效应三极管 （Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor , MOSFET） MOS管分为N沟道增强型、 N沟道耗尽型、 P沟道增强型、 P沟道耗尽型，它们的工作原理基本相同。 取一块P型半导体作为衬底，用B表示。 用氧化工艺生成一层SiO2 薄膜绝缘层。 用光刻工艺腐蚀出两个孔。 扩散两个高掺杂的N型区。从而形成两个PN结。（绿色部分） 从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。 在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。 1.NMOS管的结构和符号 2.1.1 MOS管的开关特性 （1） 当vGS=0V时 当vGS=0V时，漏极D和源极S之间为两个PN结，两端加上电压总有一个PN结反偏，因此，无电流流过，iD=0。管子处于截止状态。 2. MOS管的工作原理 2.1.1 MOS管的开关特性 （2） 当vGS＞0时 vGS＞0将在绝缘层产生电场， 该电场将SiO2绝缘层下方的空穴推走，同时将衬底的电子吸引到下方，形成导电沟道。 反型层 当vDS＞0产生有漏极电流iD。这说明vGS对iD的控制作用。 2.MOS管的工作原理 思考：何谓反型层？何谓开启电压？ 2.1.1 MOS管的开关特性 3.NMOS管和PMOS管的通断条件 NMOS 当vGS＞VTN时导通 当vGS＜VTN时截止 PMOS 当∣vGS∣＞∣VTP∣时导通 当∣vGS∣＜∣VTP∣时截止 2.1.1 MOS管的开关特性 （1）当vGS=0时，rDS可达到106Ω。当vGS增加时，rDS减小，最小可达到10Ω左右，因此，MOS管可看成由电压控制的电阻。 （2）MOS管的门极有非常高的输入阻抗。 4.MOS管的电路模型 2.1.1 MOS管的开关特性 1. CMOS反相器的电路结构 2.1.2 CMOS反相器 漏极相连做输出端 PMOS NMOS 柵极相连做输入端 2. CMOS反相器的工作原理 如果将0V定义为逻辑0，VDD定义为逻辑1，将实现逻辑“非”功能 。 （1）当vI=0V时，vGSN=0V，VTN截止，∣vGSP∣=VDD ，VTP导通，vO≈VDD，门电路输出高电平； （2）当vI=VDD时，VGSN=VDD ，VTN导通，∣VGSP∣=