李荣青-chapter4新.ppt

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取 RLC = 5 ? T/2 已知RL = 50? u RL uo + + – – ~ + C 解:2. 选择滤波电容器 可选用C=470?F,耐压为50V的极性电容器 P96 例4-3 有一单相桥式整流滤波电路,已知交流电源频率 f=50Hz,负载电阻 RL = 120?,要求直流电压Uo=30V,选择整流二极管及滤波电容器。 * 下一页 总目录 章目录 返回 上一页 4.2 整流、滤波与稳压电路 4.1 二极管 第4章 二极管及其整流电路 学会用工程观点分析问题,就是根据实际情况,对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似,以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时,只要能满足技术指标,就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。 对于元器件,重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法,不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。 1.半导体的导电特性: 掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件,如二极管、三极管和晶闸管 等)。 光敏性:当受到光照时,导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 (可做成温度敏感元件,如热敏电阻)。 热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增强 4.1.1 半导体的基本知识 4.1 二极管 2. 本征半导体 具有单晶体结构的纯净半导体,称为本征半导体。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 共价键中的两个电子,称为价电子。 Si Si Si Si 价电子 Si Si Si Si 价电子 价电子在获得一定能量(温度升高或受光照)后,即可挣脱原子核的束缚,成为自由电子(带负电),同时共价键中留下一个空位,称为空穴(带正电)。 本征半导体的导电机理 这一现象称为本征激发。 空穴 温度愈高,晶体中产生的自由电子便愈多。 自由电子 在外电场的作用下,空穴吸引相邻原子的价电子来填补,而在该原子中出现一个空穴,其结果相当于空穴的运动(相当于正电荷的移动)。 E 本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时,在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ?空穴电流 注意: (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差; (2) 温度愈高, 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以,温度对半导体器件性能影响很大。 自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时,又不断复合。在一定温度下,当载流子的产生和复合达到动态平衡,半导体中载流子便维持一定的数目。 3. N型半导体和 P 型半导体 掺杂后自由电子数目大量增加,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,所以这种半导体称为电子型半导体或N型半导体。 掺入五价元素 Si Si Si Si p+ 多余电子 磷原子 在常温下即可变为自由电子 失去一个电子变为正离子 在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素),形成杂质半导体。 动画 3. N型半导体和 P 型半导体 掺杂后空穴数目大量增加,空穴导电成为这种半导体的主要导电方式,称为空穴半导体或 P型半导体。 掺入三价元素 Si Si Si Si 在 P 型半导体中空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子。 B– 硼原子 接受一个电子变为负离子 空穴 动画 4. PN结的形成 多子的扩散运动 内电场 少子的漂移运动 浓度差 P 型半导体 N 型半导体 内电场越强,漂移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。 扩散的结果使空间电荷区变宽。 空间电荷区也称 PN 结 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡,空间电荷区的厚度固定不变。 - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - 动画 形成空间电荷区 5. PN结的单向导电性 (1) PN 结加正向电压(正向偏置) PN 结变窄 P接正、N接负 外电场 IF 内电场被削弱,多子的扩散加强,形成较大的扩散电流。 PN 结加正向电压时,PN结变窄,正向电流较大,正向电阻较小,PN结处于导通状

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