第5章半导体器件基础2解说.ppt

1. 三极管的结构与符号 2.电流分配与放大作用 晶体管内部载流子的运动 不讲 5.4 场效应管 5.4.1 结型场效应管 5.4.2 绝缘栅型场效应管 5.4.3 场效应管的主要参数 5.4.4 场效应管与晶体管的比较 5.5 单结晶体管和晶闸管 5.6 集成电路中的元件 5.4.1 结型场效应管（以N沟道为例） 单极型管：噪声小、抗辐射能力强、低电压工作 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c 有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区 5.4.1 uGS对导电沟道的控制作用 uGS可以控制导电沟道的宽度。 为什么g-s必须加负电压？ 5.4.1 uDS对漏极电流iD的影响 5.4.1 结型场效应管的输出特性曲线 5.4.1 结型场效应管的转移特性曲线 场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UGS（off）且uGD＜UGS（off）。 5.4.2 N沟道增强型MOS管 uGS增大，反型层将变厚变长。 当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。 5.4.2 工作原理 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。 N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？ 5.4.2 特性曲线 5.4.2 N沟道耗尽型MOS管 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通，且与结型场效应管不同 由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点 5.4.2 MOS管的特性 增强型MOS管 5.4.2 场效应管的分类 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＞0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＜0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？ 3极限参数 (1) 集电极最大允许电流ＩＣＭ。 β与IC关系曲线 (2) 集电极最大允许功率损耗ＰＣＭ。当三极管工作时, 管子两端电压为ＵＣＥ, 集电极电流为ＩＣ, 因此集电极损耗的功率为 三极管的安全工作区 4. 反向击穿电压 ＢＵCBO——发射极开路时, 集电极-基极间的反向击穿电压。 ＢＵCEO——基极开路时, 集电极-发射极间的反向击穿电压。 ＢＵCER——基射极间接有电阻Ｒ时, 集电极-发射极间的反向 击穿电压。 ＢＵCES——基射极间短路时, 集电极-发射极间的反向击穿电压。 ＢＵEBO——集电极开路时, 发射极-基极间的反向击穿电压, 此 电压一般较小, 仅有几伏左右。 上述电压一般存在如下关系： 5 温度对三极管参数的影响 1. 温度对UBE的影响 ＩＣＢＯ是由少数载流子形成的。当温度上升时,少数载流子增加, 故ＩCBO也上升。其变化规律是, 温度每上升10℃, ＩCBO约上升 1 倍。ＩCEO随温度变化规律大致与ＩCBO相同。 在输出特性曲线上, 温度上升, 曲线上移。 2. 温度对ICBO的影响 β随温度升高而增大, 变化规律是：温度每升高１℃, β值增大０.５%～１％。在输出特性曲线图上, 曲线间的距离随温度升高而增大。 3温度对β的影响 综上所述：温度对ＵＢＥ、ＩＣＢＯ、β的影响, 均将使ＩＣ随温度上升而增加, 这将严重影响三极管的工作状态。 导电沟道 源极 栅极 漏极 符号 结构示意图 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 UGS（off） uDS = 0V uGS＞UGS（off）且不变， uDS增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） uDS的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么？ uGDUGS（off） uGDUGS（off） g-s电压控制d-s的等效电阻 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 低频跨导： 夹断电压 漏极饱和电流 uDG＞－UGS（off） SiO2绝缘层 衬底 耗尽层 空穴 高掺杂 反型层 大到一定值UGS（th）才开启 uDS=0V iD随uDS的增大而增大，可变电阻区 uGD＝UGS（th），预夹断 刚出现夹断 uDS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 iD几乎仅仅受控于uGS，恒流区 转移特性 输出特性 加正离子 小到一定值UGS（off）才夹断 uGS=0时就存在导电沟道 耗尽型M