模拟电子线路第一章讲义.ppt

* O 特性基本重合(电流分配关系确定) 特性右移(因集电结开始吸引电子) 导通电压 UBE(on) 硅管： (0.6 ? 0.8) V 锗管： (0.2 ? 0.4) V 取 0.7 V 取 0.3 V E C B * 1. 放大区： 条件： 发射结正偏 集电结反偏 特点： 水平、等间隔 放 大 区 二、输出特性 E C B * 2.截止区： IB ? 0 IC = ICEO ? 0 条件：两个结反偏 截止区 E C B * 3. 饱和区： vCE ? v BE vCB = vCE ? v BE ? 0 条件：两个结正偏 特点： （小于） IC ? ? IB 临界饱和时(还可放大)： vCE = vBE 深度饱和时： 0.3 V (硅管) vCE(SAT)= 0.1 V (锗管) 饱和区 截止区 放 大 区 E C B * 三种工作状态 状态 电流关系 条 件 放大 I C = ? IB 发射结正偏 集电结反偏 饱和 I C ? IB 两个结正偏 ICS = ? IBS 集电结零偏 临界 截止 IB ≤ 0, IC = 0 两个结反偏 判断导通还是截止： UBE