电工学第7章(免费阅读).pptVIP

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第7章 电力电子技术 及其应用 (时间:5次课,10学时) 第7章 电力电子技术及其应用 本章重点: 第7章 电力电子技术及其应用 7.1 电力电子技术简介 7.2 晶闸管的结构和工作原理 7.3 单相可控整流电路 7.4 晶闸管的触发电路 7.5 新型电力电子器件 7.6 本章实训 7.1 电力电子技术简介 7.1.1 电力电子技术的发展 7.1.2 电力电子技术的应用 7.1 电力电子技术简介 电力电子技术是应用于电力领域、以电力为对象的电子技术,它是一门横跨电力、电子和控制的边沿学科,利用电力电子器件对电能进行变换和控制的一门技术。 7.1.1电力电子技术的发展 7.1.2 电力电子技术的应用 7.2 晶闸管的结构和工作原理 晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,最初被称作可控硅(SiliconControlled Rectifier—SCR),是一种大功率的电力电子器件。 7.2 晶闸管的结构和工作原理 7.2.1 晶闸管的结构 7.2.2 晶闸管的工作原理 7.2.3 晶闸管的伏安特性和主要参数 7.2.1 晶闸管的结构 7.2.1 晶闸管的结构 7.2.1 晶闸管的结构 7.2.1 晶闸管的结构 三极管等效电路 7.2.1 晶闸管的结构 7.2.2 晶闸管的工作原理 7.2.2 晶闸管的工作原理 7.2.2 晶闸管的工作原理 7.2.2 晶闸管的工作原理 7.2.3 晶闸管的伏安特性和主要参数 晶闸管的伏安特性是指阳极与阴极间的电压ua和门极电流Ig之间的关系, 7.2.3 晶闸管的伏安特性和主要参数 7.2.3 晶闸管的伏安特性和主要参数 7.3 单相可控整流电路 7.3 单相可控整流电路 7.3.1 单相半波可控整流电路 7.3.2 单相桥式全控整流电路 7.3.1 单相半波可控整流电路 7.3.1 单相半波可控整流电路 7.3.1 单相半波可控整流电路 7.3.1 单相半波可控整流电路 7.3.2 单相桥式全控整流电路 7.3.2 单相桥式全控整流电路 7.3.2 单相桥式全控整流电路 7.3.2 单相桥式全控整流电路 7.3.2 单相桥式全控整流电路 7.3.2 单相桥式全控整流电路 7.3.2 单相桥式全控整流电路 7.3.2 单相桥式全控整流电路 7.4 晶闸管的触发电路 7.4.1 对晶闸管触发电路的要求 7.4.2 单结晶体管组成的触发电路 7.4.1 对晶闸管触发电路的要求 7.4.2 单结晶体管组成的触发电路 7.4.2 单结晶体管组成的触发电路 7.4.2 单结晶体管组成的触发电路 7.4.2 单结晶体管组成的触发电路 7.4.2 单结晶体管组成的触发电路 7.4.2 单结晶体管组成的触发电路 7.4.2 单结晶体管组成的触发电路 7.4.2 单结晶体管组成的触发电路 7.4.2 单结晶体管组成的触发电路 7.4.2 单结晶体管组成的触发电路 7.5 新型电力电子器件 7.5.1 门极可关断晶闸管 7.5.2 大功率晶体管 7.5.3 功率场效应晶体管 7.5.4 绝缘栅双极晶体管 7.5.1 门极可关断晶闸管(GTO) 7.5.1 门极可关断晶闸管(GTO) 7.5.2 大功率晶体管(GTR) 7.5.2 大功率晶体管(GTR) 7.5.3 功率场效应晶体管 (MOSFET ) 7.5.3 功率场效应晶体管 (MOSFET ) 7.5.4 绝缘栅双极晶体管(IGBT ) 7.5.4 绝缘栅双极晶体管(IGBT ) 7.5.4 绝缘栅双极晶体管(IGBT ) 7.5.4 绝缘栅双极晶体管(IGBT ) 7.5.4 绝缘栅双极晶体管(IGBT ) 7.5.4 绝缘栅双极晶体管(IGBT ) 7.5.4 绝缘栅双极晶体管(IGBT ) 1. IGBT的结构和工作原理 IGBT是三端器件栅极G、集电极C和发射极E。 等效电路与符号 2. IGBT的特性 1)静态特性 (a) 转移特性 (b)输出特性 2. IGBT的特性 1)静态特性 (a) 转移特性 描述集电极电流IC与栅射极电压UGE间的关系,与MOSFET转移特性类似。当栅射极电压UGE小于开启电压UGE(th)时,管子处于关断状态。 1.电路组成及工作原理 控制角 导通角 输出电压 VT承受电压 触发脉冲 2.各电量计算公式 负载直流平均电压Ud 负载直流平均电流Id 负载电压有效值U 2.各电量计算公式 电流有效值为 I

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