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C00103 信息技术与社会进步 主讲人：刘纯亮 西安交通大学电子与信息工程学院 第5章 微电子技术（5） 5-5 薄膜晶体管和发光二极管 2014年07月17日 本科生课程“信息技术与社会进步”讲义 大 纲 一、非晶硅薄膜晶体管 二、氧化物薄膜晶体管 三、发光二极管 薄膜晶体管（TFT）发展历史 TFT: Thin Film Transistor 非晶硅TFT 多晶硅TFT 有机TFT 氧化物TFT TFT电子学：Large Area Microelectronics，大面积微电子学。 一、非晶硅薄膜晶体管 非晶硅TFT结构 源极 漏极 非晶硅 重掺杂非晶硅 栅极介质层 栅极 玻璃基底 非晶硅TFT采用薄膜工艺制作，沟道材料为非晶硅，属n型FET。 栅极在上为顶栅结构，栅极在下为底栅结构，实际应用多采用底栅结构。 一、非晶硅薄膜晶体管 MOS FET与TFT比较 在硅基底上制作器件 在玻璃和塑料上制作器件 平面结构 层叠结构 非晶硅 一、非晶硅薄膜晶体管 两种常用的底栅结构非晶硅TFT 背沟道刻蚀型TFT Back-Channel-Etched (BCE) TFT 刻蚀阻挡型TFT Etched-Stopper (ES) TFT 由于BCE型TFT比ES型TFT少一道光刻工序，应用较多，但a-Si:H层较厚，对刻蚀精度要求较高。 非晶硅 非晶硅 刻蚀阻挡层 一、非晶硅薄膜晶体管 硅按照晶粒尺寸分类 非晶硅 纳晶硅 微晶硅 多晶硅 单晶硅 迁移率定义：电子（空穴）漂移速度=μ（迁移率）×E（电场强度） 电子迁移率 空穴迁移率 工艺温度 一、非晶硅薄膜晶体管 非晶硅、多晶硅和单晶硅之比较 非晶硅 单晶硅 多晶硅 一、非晶硅薄膜晶体管 非晶硅TFT驱动电路 TFT通常用作开关器件，栅极加正电压导通，栅极加负电压关断。 一、非晶硅薄膜晶体管 输出特性 转移特性 非晶硅薄膜晶体管I-V特性 开关比：Ion/Ioff = 106-108 导通电流 关断漏电流 栅极电压 漏极电压 漏极电流 漏极电流 一、非晶硅薄膜晶体管 TFT在液晶显示（LCD）中的应用 TFT驱动液晶显示单元 TFT寻址开关 存储电容 液晶层电容 扫描线 数据线 TFT驱动液晶显示屏 液晶显示单元属电压型驱动，仅需1个TFT和1个存储电容器。 一、非晶硅薄膜晶体管 TFT在有机发光显示（OLED）中的应用 TFT寻址开关 存储电容 扫描线 数据线 数据线 扫描线 存储电容 TFT寻址开关 有机发光二极管 驱动TFT 有机发光二极管 驱动TFT 有机发光二极管属电流型驱动，最少需2个TFT和1个存储电容器。 一、非晶硅薄膜晶体管 大 纲 一、非晶硅薄膜晶体管 二、氧化物薄膜晶体管 三、发光二极管 Transparent Electronics: 透明电子学 Transparent Conducting Oxide (TCO)：透明导电氧化物 Transparent Oxide Semiconductor (TOS)：透明氧化物半导体 Amorphous Oxide Semiconductor (AOS)：非晶氧化物半导体 Transparent AOS (TAOS)：透明非晶氧化物半导体 Transition Metal Oxide (TMO)：过渡金属氧化物 Transparent Thin-Film Transistor (TTFT)：透明薄膜晶体管 TAOS名称来自日本东京工业大学细野秀雄（Hideo Hosono）教授的建议。 比较流行的称呼：氧化物TFT，Oxide TFT 有关术语说明 二、氧化物薄膜晶体管 透明TFT结构 透明电极 源极 漏极 栅极 玻璃基底 栅极绝缘层 非晶氧化物半导体 TTFT： Transparent TFT，透明薄膜晶体管 新一代TFT沟道材料：非晶氧化物半导体 二、氧化物薄膜晶体管 超高分辨率液晶显示对TFT沟道材料的要求 非晶硅 微晶硅 非晶氧化物 电子迁移率 二、氧化物薄膜晶体管 大尺寸有机发光显示对TFT沟道材料的要求 电子迁移率 二、氧化物薄膜晶体管 非晶优于多晶的好处 非晶材料无晶界 均匀性更好，不存在晶界扩散 非晶薄膜具有超光滑表面 容易集成，均匀性好 工艺温度低 后处理工艺少 非晶氧化物半导体制造工艺简单，成本低。 二、氧化物薄膜晶体管 多晶氧化物半导体迁移率优势并不显著 对于硅材料 单晶硅和多晶硅的电子迁移率是非晶硅的数百倍。 对于氧化物半导体 单晶材料的电子迁移率仅为非晶材料的2-