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- 2016-12-23 发布于重庆
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间接调制的主要类型 电光调制(电光效应—电致双折射现象,pocket和kerr效应) 磁光调制(磁光效应—法拉弟电磁偏转效应) 声光调制(声光效应—布拉格效应和喇曼-奈斯衍射 电吸收调制(Franz-keldysh 效应和量子约束的Stark效应) 三、光源的间接调制 1、电光调制 电光效应:Pocket 效应(折射率变化与外电场 幅度成线性变化) kerr 效应 (1)基础概念 并矢和张量的概念 介电张量 折射率椭球 6)电光调制的频率特性 影响调制频率和带宽的因素 光在晶体中的传输时间: ?d = n0 L / c 4、电吸收调制器(EA) 1)原理 Franz-keldysh 效应和量子约束的Stark效应,即半导体材料的吸收边带红移的现象。 2)特点: 易与激光器单片集成 需要的调制电压较低 对偏振不太敏感 啁啾性能不如LiNbO3调制器 若 调制深度小时, 得到线性调制 (5)横向电光调制 即在高频调制时,将使调制度减小。只有在 ??1时,??1。取 =?/2对应的频率为
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