第3章0单晶生长.pptVIP

硅单晶结构示意图 晶圆生产工艺流程介绍(资料) 1、?表面清洗2、 初次氧化3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD) 。（1）常压 CVD (Normal Pressure CVD)（2）低压 CVD (Low Pressure CVD)（3）热 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)（4）电浆增强? CVD (Plasma Enhanced CVD)（5）MOCVD (Metal Organic? CVD) 分子磊晶成长 (Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生长法 (LPE)  4、 涂敷光刻胶?? （1）光刻胶的涂敷 （2）预烘? (pre bake) （3）曝光 （4）显影 （5）后烘? (post bake) （6）腐蚀? (etching) （7）光刻胶的去除 5、 此处用干法氧化法将氮化硅去除?? 6 、离子布植将硼离子? (B+3)? 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱 7、 去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理?? 8、 用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷? (P+5)? 离子，形成 N 型阱??  9、 退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层?? 10、干法氧化法生成一层 SiO2 层，然后 LPCVD 沉积一层氮化硅?? 11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层?? 12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形成 PN 之间的隔离区? 13、热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ，并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 ,? 作为栅极氧化层。 14、LPCVD? 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成 SiO2 保护层。?? 15、表面涂敷光阻，去除 P 阱区的光阻，注入砷? (As)? 离子，形成 NMOS 的源漏极。用同样的方法，在 N 阱区，注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。??  16、利用 PECVD? 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。?? 17、沉积掺杂硼磷的氧化层?? 18、溅镀第一层金属?? （1）? 薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。（2）? 真空蒸发法（ Evaporation Deposition ）（3）? 溅镀（ Sputtering Deposition ） 19、光刻技术定出 VIA 孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用 PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。 20、光刻和离子刻蚀，定出 PAD 位置?? 21、最后进行退火处理，以保证整个?Chip?的完整和连线的连接性 第3章 集成电路制造工艺 学习工艺的必要性 集成电路的制造需要非常复杂的技术，它主要由半导体物理与器件专业负责研究。VLSI设计者可以不去深入研究，但是作为从事系统设计的工程师，有必要了解芯片设计中的工艺基础知识，才能根据工艺技术的特点优化电路设计方案。对于电路和系统设计者来说，更多关注的是工艺制造的能力，而不是工艺的具体实施过程。 由于SOC的出现，给IC设计者提出了更高的要求，也面临着新的挑战：设计者不仅要懂系统、电路，也要懂工艺、制造。 中科院半导体所微电子生产线 集成电路的基础工艺 集成电路是经过很多道工序制成的。其中最基础的工艺有： 生产所需类型衬底的硅圆片工艺； 准确定域区间的光刻工艺； 向芯片中增加材料的氧化、淀积、扩散和离子注入工艺； 去除芯片上的材料的刻蚀工艺。 集成电路的制造就是由这些基础工艺的不同组合构成的。本章主要介绍这些基础工艺。 P型Si ρ ?10Ω.cm 111晶向,偏离2O~5O 晶圆（晶片） 晶圆（晶片）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成 冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分 解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解 后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公分长，重76.6公斤的 8寸 硅晶棒，约需 2天半时间长成。经研磨、抛光、切片后，即成半导体之原料 晶圆片 3.0 单晶生长与衬底制备 3.01 集成电路技术的发展和硅材料的关系 (1).集成电路的尺寸逐渐缩小，芯片的面积逐渐扩大 (2).为了降低生产成本，硅圆片的直径越来越大 (3).集成电路的器件结构越来越趋向硅圆片的浅表层 直拉单晶硅 硅片直径变大的好处 3.02 单晶生长 生长方法： 直拉单晶和区熔单晶。在集成电路工业中使用的硅几乎全部是用直拉法生产的。 1.