《数字电子技术基础》 门电路.pptVIP

门电路 3.1 概述 3.2 半导体二极管门电路 3.3 CMOS门电路 3.4 TTL门电路 3.3 CMOS门电路1. MOS管的开关特性 （2）MOS管的输入特性和输出特性 漏极特性曲线（分三个区域） 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区：VGSVGS(th)，iD = 0, ROFF 109Ω 漏极特性曲线（分三个区域） 恒流区： iD 基本上由VGS决定，与VDS 关系不大 漏极特性曲线（分三个区域） 可变电阻区：当VDS较低（近似为0），VGS一定 ， 这个电阻受VGS 控制、可变。 （4）MOS管的开关等效电路 低电平输出特性 高电平输出特性 2 ) 交流噪声容限 与非门 与非门- 或非门 或非门- 负载为CMOS门电路的情况下，m=m’. 为保证线与连接后的电路能够正常工作，应取： 三态门的用途 7. CMOS电路的正确使用 1）输入电路的静电防护 2）输入电路的过流保护 3）CMOS电路锁定效应的防护 7. CMOS电路的正确使用 1）输入电路的静电防护 由于CMOS电路输入端保护电路所能承受的静电电荷和脉冲功率均有一定限度，故要有静电防护。 注意下面几点： ①在储存和运输CMOS器件时不要使用易产生静电高压的化工材料和化工织物包装，最好采用金属屏蔽层作包装材料。 ②组装、调试时，应使电烙铁和其他工具、仪表、工作台台面等良好接地。操作人员的服装和手套等应选用无静电的原料制作。 ③不用的输入端不应悬空。 2）输入电路的过流保护 由于输入保护电路中的钳位二极管电流容量有限，所以在可能出现如下较大电流的场合必须在输入端接入保护电阻来限制输入端电流。 ①输入端接低内阻信号源时。 ②输入端接大电容时。 ③输入端接长线时。 3）CMOS电路锁定效应的防护 锁定效应是CMOS电路中一个特有的问题。 由于要在同一片衬底上同时制作P沟道和N沟道两种类型的MOS管，在众多的P型和N型半导体之间会形成寄生三极管。这些寄生三极管和电路中的电阻、电源会形成正反馈电路，当满足一定的条件时会在电源和地之间产生较大的电流，并且除非切断电源或将电源电压降至很低，这一电流会一直保持下去。这种现象叫做CMOS电路的锁定效应。 为防止发生锁定效应，在CMOS电路工作时应保证VI、VO、VDD的数值符合如下规定： 其中 VF为三极管发射极的正向导通压降。 3.5 TTL门电路 TTL是Transistor-Transistor-Logic的缩写，因为TTL电路的输入端和输出端都是三极管结构，故命名为TTL逻辑电路。 iB VON VBE VBE iB 三极管的输入特性 开启电压 1、双极型三极管的开关特性 三极管的输出特性 1、双极型三极管的开关特性 三极管处于截止状态 b c e 当输入电压Vi VON =0.7 V时，三极管的Vbe0.7V, iB=0。三极管处于截止状态，因此c 、e之间的电流ic≈ 0，电路输出 vO=VOH ≈Vcc， 此时它如同一个断开的开关； 1、双极型三极管的开关特性 当输入电压ViVON时，有 iB产生。同时有相应的集电极电流ic流过RC和三极管，三极管开始进入放大区，基极电流 输出电压 iB 三极管处于放大状态 1、双极型三极管的开关特性 当VI继续升高时， iB及iC都逐渐增大，RC上的压降也随之增大，当RC上的压降接近于电源电压时，三极管上的压降将接近于0，此时三极管处于深饱和状态，开关电路处于导通状态。 深饱和时，三极管所需要的基极电流： 三极管深饱和时的压降 饱和基极电流 三极管处于饱和状态 1、双极型三极管的开关特性 只要合理地选择电路参数，保证当VI为低电平VIL时， VBEVON，三极管工作在截止状态；而VI 为高电平VIH时，iBIBS，三极管工作在深度饱和状态，则三极管的c-e间就相当于一个受VI控制的开关。 三极管截止时相当于开关断开，在开关电路输出高电平；三极管饱和导通时相当于开关接通，在开关电路输出低电平。 1、双极型三极管的开关特性 三极管的开关状态 三极管的开关等效电路 1、双极型三极管的开关特性 三极管反相器 1、双极型三极管的开关特性 当Vi=0V时 当Vi=5V时 深度饱和时 2. TTL反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构： TTL反相器的电路结构 如图所示： 电路