15固态负阻器件.doc

●15● 固态负阻器件 在半导体器件两端加上直流电压并配上适当的外电路就能产生微波振荡，输出微波功率。这类器件工作时，器件两端的微波电压和流过器件的微波电流是反相的，成负电阻特性，称为负阻振荡器。半导体器件则为负阻器件。用他们做成的微波源成本低，可靠性高，成为一类重要的微波源。主要用于本振和小功率发射机。利用功率合成技术。可使合成输出功率达到中等功率电平。 碰撞雪崩渡越时间器件（IMPATT器件）雪崩管 1958年里德提出了利用和结构模型，可以产生微波振荡，该模型须于从原理上理解负阻机理。图A表示里德模型和反偏连接。B表示里德结构各段的参杂浓度。C表示耗尽层的电荷分布。 由图可知，在反偏作用下交界面的电场强度最 大，接近击穿，在交流正半周，交流电压和负偏方向一致，内部电场增强。交界面场强超过击穿电场而打火击穿产生大量的空穴——电子对。电子在强电场作用下注入I区，空穴则由区进入了负极被中和了。 打火击穿是一种载流子对以雪崩倍增方式产生的快速现象。由于电场极强，载流子速度极高，能量很大。碰撞原子使其电离，产生新的空穴电子对。新的空穴电子对立即以极高的速度撞击别的原子使更多的空穴电子对产生，则载流子雪崩式产生增加，所以极短时间内有大量的载流子对产生。电子注入I区，空穴被负极吸收。 计算表明，注入电流为一钟形脉冲，其瞬时值与载流子数量成正比。当交流电压由正变负时，越过界面的载流子数量达到最大值。此时，对应注入电流脉冲顶部，当交流电压变负时，不再打火。残留在 N区的电子逐步进入I区，对应钟形脉冲后半部。这样注入电流钟形脉冲的基波分量滞后交流电压90度。注入电流进入I区后在负压产生的电场作用下向反漂移，在外电路对应一幅度不变的感应梯形电流脉冲，进入后被中和，感应电流消失。  调整I区的长度，可使渡越时间，则感应电流脉冲的基波分量又滞后注入基波90度，外电路的交流正好滞后交流电压180度。两者相位反向对应一负阻。实际上两者的相位差不一定正好是180度，可以大于或者小于180度。对应负阻感抗或者负阻容抗。称为渡越频率。如W=2.5u.可达300G。实用的雪崩结构为和他们同样具有产生雪崩电流和渡越迟延作用而产生负阻。  通过计算电压和电流基波分量的关系可以求出输入阻抗，其负电导和电纳均为电压幅度和频率的函数。其等效电路如图所示。 大功率双漂移管的结构为，工作时打火区在中间，产生空穴和电子分别向相反的方向漂移。两者都对感应电流有贡献。 转移电子器件——体效应管（GUNN管，耿氏管） 1963年耿氏发现砷化镓半导体的负阻效应。现在已经发展成为一类重要的微波器件。由此制成的小功率高质量固态源已经得到广泛的应用。 （一）砷化镓的多能谷结构和负微分迁移率 在砷化镓和磷化铟等一类化合物半导体中，迁移率很高。5000~8000cm/s即电场增加时，载流子的速度增加很快。当载流子的速度提高到一定程度时，载流子由主谷向子谷转移，而子谷的迁移率很低，只有100~200。载流子的平均迁移率随电场的增加而下降。 电子的平均速度， （，平均迁移率）。电场很大时，载流子都已迁入子谷，且达到饱和速度。V——E特性如上右图， 在V——E曲线下降段，为负微分迁移率。 负微分迁移率的形成条件为 1有迁移率差别的多能谷结构,2,3. (二)电荷积累现象， 。为负,E升，J降 由,即 , 在一维电场作用下，电荷随时间作指数规律变化。o衰减，0增加。在o时0。所以负微分迁移率必然导致电荷累积。 (三)伏安特性与偶极畴 由于故I-V特性与-E特性类似，如图， 给一段材料上加电场（压）。电子在电场作用下，由阳极向阴极运动，在阴极附近存在不均匀会导致电场局部集中。使电子跃入子谷而变慢。电荷迅速增长。而负电荷层前面的电子被抽空变为正电荷区。则正负电荷集中区会使该区电场进一步增大。更加速了负电荷增长和正电荷区增加。直到电荷集中区内电子与其他区域电子速度向等，都等于饱和速度，正负电荷不再增加，形成一个较空的向阳极以饱和速度渡越的正负电荷共生区称为偶极畴。 只要有一个畴，电场集中于这里。其他区域便不会生成第二个畴。畴到达阳极被中和消失，才会在阴极附近的不均匀区产生另一个畴。长成条件：，在I-V特性上称为阀值电压，才会产生畴。畴在a-b段产生并增加，b-c，段稳定渡越，如果畴生成后电压下降，畴会按b-d段维持到d才消失。为维持电压。 (四) 振荡模式 耿氏管工作时外电路交流电压也加在管两端，视和的关系不同。可能有以下三种模式： 1渡越时间模, 经典耿模 2延迟模 3猝灭模 这三种模式的尖电流脉冲都在电压负最大值附近产生，其基波分量和电压接近反相，故成负阻，等效电路为见上图。 耿氏管噪声小、功率小多用作本振， 雪崩管功率大、频率