集成电路设计与制造工艺概述..pptVIP

第5章 集成电路设计与制造工艺概述 概要介绍主要设计和基本工艺 一、集成电路设计 按设计途径分：正向设计、反向设计 按设计内容分：逻辑设计、电路设计 工艺设计、版图设计 正向设计的设计流程为：根据功能要求画出系统框图，划分成子系统(功能块)进行逻辑设计，由逻辑图或功能块功能要求进行电路设计，由电路图设计版图，根据电路及现有工艺条件，经模拟验证再绘制总图工艺设计（如原材料选择，设计工艺参数、工艺方案，确定工艺条件、工艺流程）。如有成熟的工艺，就根据电路的性能要求选择合适的工艺加以修改、补充或组合。 这里所说的工艺条件包含源的种类、温度、时间、流量、注入剂量和能量、工艺参数及检测手段等内容。 反向设计（也称逆向设计）的设计流程为： 第一步，提取横向尺寸。主要内容：打开封装放大、照相提取复合版图，拼复合版图提取电路图、器件尺寸和设计规则电路模拟、验证所提取的电路画版图。 第二步，提取纵向尺寸。用扫描电镜等提取氧化层厚度、金属膜厚度、多晶硅厚度、结深、基区宽度等纵向尺寸和纵向杂质分布。 第三步，测试产品的电学参数。电学参数包括开启电压、薄膜电阻、放大倍数、特征频率等。 逆向设计在提取纵向尺寸和测试产品的电学参数的基础上确定工艺参数，制订工艺条件和工艺流程。 版图设计规则 设计规则本身并不代表光刻、化学腐蚀、对准容差