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- 2016-12-20 发布于湖北
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模拟电子技术基础选择题
2.1.1·在绝对零度(0K)时,本征半导体中_________ 载流子。
A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数
2.1.2·在热激发条件下,少数价电子获得足够激发能,进入导带,产生_________。
A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对
2.1.3半导体中的载流子为_________。
A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子和空穴
2.1.4.N型半导体中的多子是_________。
A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子
2.1.5.P型半导体中的多子是_________。
A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子
2.2.1·当PN结外加正向电压时,扩散电流_________漂移电流。
A. 大于 B. 小于 C. 等与
2.2.2·当PN结外加反向电压时,扩散电流_________漂移电流。
A. 大于 B. 小于 C. 等于
3.2.11在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则vo和vi的
相位_________。
A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定
3.2.12·在单级共基放大电路中,
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