冶金法制备太阳能硅过程的湿法提纯二氧化硅.docVIP

201108020554 太阳能硅制备过程湿法提纯SiO2的工艺优化( 林康英,洪金庆,汤培平*,刘宏宇,王文宾,游淳毅,刘碧华,刘瑞聪 (厦门大学 化学化工学院，福建 厦门 361005) 摘 要： 考察了HF浓度、H2C2O4浓度、HNO3浓度、酸浸时间、粒径、液固比等因素对混酸法提纯二氧化硅工艺过程的影响，利用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、场发射扫描电子显微镜(SEM)进行表征。结果表明最佳工艺条件为：w(HF)=2%、w(H2C2O4)=3%、w(HNO3)=30%、酸浸时间4h、粒径100目～120目、液固比4:1、酸浸温度30℃。Fe、Al、Ca、P杂质的去除率分别达到99.99%、14.02%、73.27%、60.00%，经混酸法处理后二氧化硅中杂质总量的质量分数降至1.465×10-4。 关键词： 太阳能硅；二氧化硅；湿法冶金；酸浸；提纯 中图分类号：TF1 文献标识码：A Optimization of Hydrometallurgical Purification for SiO2 in the Process of Preparing Solar-Grade Silicon LIN Kang-ying, HONG Jin-qing,*TANG Pei-ping