1-2014掺杂技术-离子注入研讨.pptVIP

第1章 离子注入（Ion Implantation） 1 离子注入概述 最早应用于原子物理和核物理研究 提出于1950’s 1970’s中期引入半导体制造领域 定义 所谓离子注入，就是在离子注入机 (实际上是一个小型加速器)中把离子(例如N+、c+、o+、cr+、Ag+、Y+…等各种非金属、金属离子)加速成具有几万至几十万(甚至几百万)电子伏能量的束流，并注入于固体材料的表面。 离子注入 ：离子束射到固体材料以后，受到固体 材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并最终停留在 固体材料中 离子注入改性 离子束材料改性，内容主要包括三个方面 1、改善物理性能 例如改善材料发面的电磁学及光学性能，提高超导的转变温度等； 2．改善化学性能 例如提高材料表面的抗腐蚀、抗氧化件能； 3．改善机械性能 例如改变材料表面的摩擦系数，提高表面硬度和抗磨损能力，改善 材料的疲劳性能等。 聚焦系统：用来将加速后的离子聚集成直径为数毫米的离子束。 偏转扫描系统：用来实现离子束 x、y 方向的一定面积内进行扫描。 工作室：放置样品的地方，其位置可调。 　　在实际工作中，平均投影射程 RP (?) 及标准偏差 ?RP (?)与注入能量 (KeV) 的关系可从表查到。 3 离子注入的特点 3.1.特点 可以独立控制杂质分布（离子能量） 和杂质浓度（离子流密度和注入时间