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第一章 半导体器件 本章是本课程的基础，应着重掌握以下要点： （1）半导体的导电特性。 （2）PN结的形成及其单向导电性 （3）三极管的结构、类型及其电流放大原理 （4）三极管的特性及其主要参数 本章内容： § 1.1 半导体基础知识 § 1.2 PN结 § 1.3 半导体二极管 § 1.4 半导体三极管 §1.1 半导体的基本知识 §1.2 PN结 ID __流过PN结的电流； IS __反向饱和电流； u －为结电压 UT－温度的电压当量， k －为波耳次曼常数（1.381?10-3J/k） T －为绝对工作温度 q －为电子电荷量1.6?10-19C P 区 N 区 内电场 外电场 外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。 IF 限流电阻 扩散运动加强形成正向电流 IF 。 IF = I多子 ? I少子 ? I多子 （1） 外加正向电压(正向偏置) — forward bias PN结外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。 (2) 外加反向电压(反向偏置) — reverse bias P 区 N 区 内电场 外电场 外电场使少子背离 PN 结移动， 空间电荷区变宽。 IR PN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。 漂移运动加强形成反向电流 IR IR = I少子 ? 0 PN结外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 PN结变窄 P N + - R 外加正向电压示意(导电） PN结变宽 P N - + R 外加反向电压示意（截止） 正向电流If 反向电流Is (3) PN 结的单向导电性 正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，具有很小的反向漂移电流，电流近似为零。 由此可以得出结论： PN结具有单向导电性。 1.2.3 PN结的伏安(V-A)特性 1）、表达式： 当 T = 300(27?C)： UT = 26 mV * 西安电子科技大学计算机学院吴自力 2012--2 * 1.1.1 本征半导体 1）导体、半导体和绝缘体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如： 当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如硅Si、锗Ge、砷化镓GaAs以及一些硫化物、氧化物等。 本征半导体——化学成分纯净的半导体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 2） 本征半导体 硅(锗)的原子结构 简化模型 惯性核 价电子 (束缚电子) 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 它在物理结构上呈单晶体形态。 (1）本征半导体的共价键结构 硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。 硅和锗的晶体结构： 硅和锗的共价键结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 形成共价键后，每个