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介质中的高斯定理： 在静电场中，通过任意封闭曲面的电位移通量等于该曲面所包围的自由电荷的代数和。 根据电场强度与电位移矢量的关系计算场强。 + d 1 d 2 ε 0 ε r B C A + + + + + D 1 D 2 E 1 E 2 σ σ 例6. 一平行板电容器，其中填充了一层介质，尺寸如图，介质的相对介电常数为 ε r 。 D 1 D 2 , , E E 1 2 , ； 1. 用高斯定理求： 2. 求： 例7.半径为R0的导体球带有电荷Q ，球外有一层均匀电 介质的同心球壳，其内外半径分别为R1和R2 ，相对电 容率为er ，求：介质内外的电场强度E和电位移D R2 R0 R1 er Q 解： r 2 e r e 0 4p = Q E 内 Q r 2 e 0 4p = E 外 r R2 R1 ( ) ( ) r R2 r R1 R0 ( ) r 2 4p = Q D = D 外 内 导体中通过任一截面的电流强度不随时间变化（I = 恒量）。 恒定电流（直流电）： 电流强度的方向：导体中正电荷的流向。 电流强度（I）：单位时间内通过导体任一横截面的电量 。 单位：安培 电流密度矢量： 毕奥-萨伐尔定律： 运动电荷的磁场 1. 载流直导线的磁场 一载流长直导线，电流强度为I ，导线两端到P 点的连线与导线的夹角分别为?1和?2 。求距导线为a 处P 点的磁感应强度。 dB o P a x I x r 解：把铜片划分成无限个宽为dx 的细长条，每条有电流： 由对称性知： y a dx 例1. 一条无限长传送电流的扁平铜片，宽为a，厚度忽略，电流为I，求离铜片中心线正上方y处P点的 r x y P. 该电流在P点产生的磁场为： I 其中： 方向平行X轴 当y a 时 当y a 时 x R x o P 2. 圆形载流导线轴线上的磁场 载流圆线圈半径为R，电流强度为I。求轴线上距圆心o为x处P点的磁感应强度。 α ? P x x R 例2 一个塑性圆盘，半径为R，圆盘表面均匀分布电 荷q, 如果使该盘以角速度?绕其轴旋转，试证： (1)盘心处 (2)圆盘的磁偶极矩 证：(1)将盘看成一系列的宽为dr的圆环构成 每一环在中心产生的磁场： dr r dB 解：任取一线元dl 带电量为 例3.半径为R的半圆孤线，均匀带电Q，以匀角速度绕对称轴转动，求半圆孤线圆心 O 处的B 转动形成的电流 3. 载流密绕直螺线管内部轴线上的磁场 x r O R x 螺线管半径为 R； 导线中电流为 I； 单位长度线圈匝数 n 在螺线管上的 x 处截取一小段 磁通量 磁场中的高斯定理 安培环路定理 1. 长直螺线管内的磁感应强度 c a b d 2.通电螺绕环的磁场分布。 已知环管轴线的半径为R，环上均匀密绕N匝线圈，设通有电流I。 解： 由于电流对称分布，与环共轴 的圆周上，各点B大小相等， 方向沿圆周切线方向。 取以o为中心，半径为r的圆周为L 当R1 r R2 若 rR1 若 rR2 I R 当 R管截面 R 即 r ?R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × . o r 半径为R的无限长圆柱载流直导线，计算任意点P的B=？ 解：先分析P点的方向 P I 由电流对称分布可知： 取过P点半径为 r =op 的圆周L， L上各点B大小相等，方向沿切线 r R时 由安培环路定理得： 若rR 同理： B R 与毕萨 定理结 果一致 L 3. 无限长载流圆柱形导体的磁场分布 4.一无限大平面，有均匀分布的面电流，其横截线的 电流线密度为 i，求平面外一点 B=？ i . . . . . . . . . . a b c d 解： 由对称可知 并且离板等距离处的B大小相等。 过P点取矩形回路abcd?L 其中ab、cd与板面等距离。 0 0 . P 与P点到平板的距离无关。 i ? × i × 0 0 带电粒子在磁场中的运动 霍耳系数 霍耳电势差 安培定律 ： 安培力： 磁场对电流的作用力 线圈所受磁力矩： 磁场力的功 力矩的功： 存在磁介质时