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- 2016-12-25 发布于广东
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机电类《自动检测技术》第八章多媒体课件统一书号:ISBN 978-7-111-40710-2课程配套网站或 2013年1月版 第八章 霍尔传感器 本章介绍霍尔传感器 的工作原理、霍尔集成电路的特性及其在检测技术中的应用,还涉及交直流霍尔电流传感器、霍尔电压传感器的原理及输出信号的换算。 第八章 霍尔传感器 目录 8.1 霍尔元件的工作原理及特性 8.2 霍尔集成电路 8.3 霍尔传感器的应用 第一节 霍尔元件的结构及工作原理 霍尔效应:半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中,磁场方向垂直于薄片,当有电流I 流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH,导电薄膜越薄,灵敏度就越高。 影响霍尔电动势的因数 流入激励电流端(a、b)的电流Iab越大,电子和空穴积累得就越多,霍尔电动势也就越高。 作用在薄片上的磁感应强度B越强,电子受到的洛仑兹力也越大,霍尔电动势也就越高。 薄片的厚度、半导体材料中的电子浓度等因素对霍尔电动势也有很大的影响。设半导体薄片的厚度为δ,霍尔元件中的电子浓度为n,电子的电荷量为e,则霍尔电动势EH可用下式表示: 霍尔电动势与灵敏度 式中的n、e、δ在薄片的尺寸、材料确定后均为常数,可令KH=1/(neδ),则上式可简化为: EH=KH IB 式
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