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静电：物体表面过剩或不足的相对静止不动的电荷。静电是一种电能，它留存于物体表面；静电是正电荷与负电荷在局部范围内失去平衡的结果。 静电现象：是电荷的产生和消失过程中产生的电现象的总和。静电引起的自然现象如：闪电等。 第一部分：防静电的基本概念 一、防静电的基本概念：定义 1、静电材料按电阻率划分的静电导体、静电耗散体、静电绝缘体与“动”电（流动的电流）情况下按电阻率划分的导体、半导体、绝缘体完全不同。 2、静电具有高电位、低电量、小电流以及作用时间短的特点。 3、受环境条件，特别是湿度的影响比较大，静电测量时复现性差，瞬态现象多。 1、起电的方式不同 2、能量相差很大 3、表现形式不同 4、欧姆定律的适用性不同 二、静电的主要特点 三、静电与工业电的区别 1.由于电子的得与失使物体失去电平衡，就产生了静电。静电产生的基本过程可归纳为： 接触→电荷转移→偶电层的形成→电荷分离。 2.物体的起电方式主要有： 1）物体间的摩擦，产生的热可使电子转移，产生静电； 2）物体间的接触与分离； 3）电磁感应； 4）摩擦与电磁感应综合效应。 常用物品摩擦起电序列 四、物体的起电方式 静电荷通过中和与泄漏自行消失的现象称为电荷的消散或衰减，电荷一般按指数规律衰减。 ?六、静电积累规律 静电的起电与衰减两个相反的过程同时存在，一般把静电荷的起电与衰减达到动态平衡称为电荷的净积累规律。 五、静电衰减规律 六、静电效应 　物体带静电后主要会产生以下效应： 1、静电力学效应，包括静电引力、静电排斥力 2、静电感应效应 3、静电放电效应 　主要是利用电荷的同性相吸、异性相斥和静电吸附的特性，主要应用　在： 1、静电除尘技术 2、静电复印与摄影技术 3、静电涂覆技术 　　4、静电分选技术 　　5、静电生物效应等 七、静电的应用技术 八、人体静电 人体静电：指由于自身行动或与其它的带电物体相接触或相接近而在人体上产生并积聚的静电。 人体静电的起电方式主要有： ①、步行起电。 ②、摩擦起电。 ③、静电感应起电。 ④、接触传导带电。 静电放电（ESD）:当带电体上的电荷所产生的电场，其电场强度超过周围介质的绝缘击穿电场强度时，带电体表面附近的介质就发生电离，引起静电电荷转移，因而使带电体上电荷趋向减少或消失，这种情况又叫静电放电。 （Electrostatic discharge，缩写为ESD） 九、静电放电效应 右图是ESD对电子元件的损害，箭头所指处为静电放电后造成的“爪型脚”，使集成电路部分损坏。（该图放大320倍） 十、静电放电损伤 1.即时失效：又称为硬击穿或突发性完全失效, 它是器件的一个或多个电参数突然劣化, 完全失去规定功能的一种失效。 2.延时失效：如果带电体的静电位或存贮的静电能量较低，仅能供给短暂发生的局部击穿能量，或ESD回路有限流电阻存在，一次ESD脉冲不足以引起器件发生突发性完全失效，但它会在器件内部造成轻微的损伤，使器件的性能劣化或参数指标下降，降低了器件抗静电的能力、使用可靠性与寿命，使其运行一段时间后，出现故障而不能正常工作。 十一、ESD损伤的失效模式 1.典型的ESD失效机理包括 ： 1)热二次击穿、2)金属化熔融、3)体击穿、4)介质击穿、5)气弧放电、6)表面击穿。前三者的失效机理与能量有关，而后三者的失效机理与电压有关。 2.典型ESDs器件失效分析示例表 十二、典型的ESD损伤失效机理 组成部分 元器件类型 失效机理 失效标志 MOS结构 MOSFET、MOSIC等 由于电压过高引起介质击穿 短路 半导体结 二极管、晶体管、可控硅等 能量集中，热二次击穿 短路 薄膜电阻 混合IC、密封薄膜电阻器 介质击穿或热量有关的微通道破坏 电阻漂移 金属化条 单片或混合IC 与焦耳热量有关的金属烧毁 开路 场效应结构 石英陶瓷封装LSI或EPROM 电荷注入绝缘材料 性能退化 压电晶体 晶振、声表面波器件 电压过量使机械压力造成晶体断裂 性能退化 近间距电极 未钝化金属、未防护半导体 电弧放电使电极金属熔融或烧毁 性能退化 3.SSD：在日常操作、贮存、传递、测试过程中容易因静电放电而引起损伤的器件称为静电敏感器件。 （Electrostatic Sensitive Device） 典型器件静电敏感度 元器件类型 损坏电压(V) 元器件类型 损坏电压(V) Pentium 5 J.FET 140 V.MOS 30 SAW 150 MOSFET 100 OP AMP 190 EPROM 100 CMOS 250 4.操作者典型活动产生的静电电压 人体动作 相对