第4章 MOS场效应晶体管课件.pptVIP

第4章 MOS场效应晶体管 4.1 MOS结构与基本性质4.1.1 理想MOS结构与基本性质 MOS结构指金属-氧化物-半导体结构。 为便于讨论，规定在金属栅上所加电压UG相对于P型半导体衬底为正，称为正向偏置电压;反之则为反向偏置电压。 1.理想MOS二极管的定义与能带 1）在外加零偏压时，金属功函数与半导体函数之间没有能量差，或两者的功函数差qφms为零 2）在任何偏置条件下，MOS结构中的电荷仅位于半导体之中，而且与邻近氧化层的金属表面电荷数量大小相等，但符号相反。 3）氧化膜是一个理想的绝缘体，电阻率为无穷大，在直流偏置条件下，氧化膜中没有电流通过。 通过以上讨论，以下各区间的表面电势可以区分为： Ψs0空穴积累（能带向上弯曲）； Ψs=0平带情况； ΨFΨs0空穴耗尽（能带向下弯曲）； ΨF=Ψs 表面上正好是本征的ns=ps=ni ΨFΨs 反型情况（反型层中电子积累，能带向下弯曲）。 电势与距离的关系，可由一维泊松方程求得 在平带条件下对应的总电容称为MOS 结构的平带电容CFB 1. MOS 晶体管的基本结构 2. MOS管的基本工作原理 4.2.2 MOS 场效应晶体管的转移特性 MOS 场效应晶体管可分为以下四种类型:N沟增强型、 N沟耗尽型、P沟增强型、P沟耗尽型。 1. N沟增强型MOS管及转移特性 2. N沟耗尽型MOS管及转移特性